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贾海强; 陈弘; 王文冲; 王文新; 李卫; 黄绮; 周均铭;
中国科学院物理研究所凝聚态物理中心;
GaAs; SOI衬底; 分子束外延; 氧化; 赝配高电子迁移率晶体管; 砷化镓; 侧向湿法;
机译:演示在同一蓝宝石衬底上Y / sub 1 / Ba / sub 2 / Cu / sub 3 / O / sub 7- delta和CMOS器件的整体制造
机译:在硅衬底上形成的阳极氧化铝层上制造的无源器件的插入损耗特性
机译:TiN涂层SiO_2 / Si衬底上生长的多晶NbO_2薄膜垂直器件的结构和电学特性
机译:使用工艺和器件仿真来优化在块状衬底和SOI衬底上制造的ggNMOS ESD保护器件的L / sub Gate /
机译:在硅衬底上生长的异质外延3C碳化硅上的肖特基势垒二极管的电学特性。
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:GaEm衬底上pHEmT和平面耿氏二极管的集成技术
机译:基于si衬底上生长的III族氮化物的1.5微米光子器件。
机译:用于选择衬底上的样品位置的方法,用于提供衬底的特性模型的表示的方法,提供在整个衬底上的衬底的特性的变化的表示的方法以及器件制造方法
机译:在衬底上形成器件,在衬底上形成器件阵列,在衬底上形成导线,在衬底上形成电容器阵列的半导体处理方法以及集成电路
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