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陈海峰; 马晓华; 郝跃; 曹艳荣; 黄建方; 王文博; 李康;
西安电子科技大学微电子研究所;
最大衬底电流应力; 关态; 带带遂穿; 陷阱电荷; GIDL;
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:深亚微米nMOS器件的衬底电流,栅极电流和寿命预测
机译:带有超薄氮化栅氧化物的NMOS和PMOS器件在低场处应力引起的泄漏电流
机译:低于0.25 / spl mu / m NMOS器件的弱和强冲击电离的统一衬底电流模型
机译:研究毫米波和太赫兹频率下硅衬底的特性及其对无源和有源器件的影响。
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:90nm工艺pmOs晶体管在连续光电激光器刺激下的特性分析及TCaD仿真改进
机译:利用真空电弧电流换流开发限流器。阶段2.使用最小量的并联电容最大化单个72 KV器件的额定电流。总结报告
机译:在具有最大NMOS和PMOS驱动电流的应变晶格半导体衬底上制造的窄宽度CMOS器件
机译:在硅衬底上提供nMOS器件和pMOS器件的方法以及包括nMOS器件和pMOS器件的硅衬底
机译:在硅衬底上提供NMOS器件和PMOS器件的方法以及包括NMOS器件和PMOS器件的硅衬底
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