NMOS器件的硅衬底表面的处理方法及NMOS器件的制作方法

摘要

本发明揭示了一种NMOS器件的硅衬底表面的处理方法及NMOS器件的制作方法，在硅衬底上形成凹槽后经清洗将凹槽表面氧化，然后将凹槽氧化物去除，以露出硅衬底表面。然后在经过上述处理步骤之后的硅衬底上生长碳化硅，用于形成源极和漏极，以制作NMOS器件。本发明的制作的硅衬底具有表面清洁度高、粗糙度低的优点，采用本发明的硅衬底制作的NMOS器件具有较佳的电学性能。