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王彦刚; 许铭真; 谭长华; 段小蓉;
北京大学微电子学研究所;
衬底电流; 软击穿; 超薄栅氧化层; 威布尔分布; 变频光泵效应;
机译:恒压应力和衬底热载流子注入下超薄栅氧化物MOS电容器的TDDB特性
机译:硬栅氧化物击穿后nMOSFET衬底电流的解释
机译:超薄氧化层软击穿后栅极和衬底电流的性质
机译:超薄栅氧化物软击穿后栅漏电流时间演化的新模型
机译:硅衬底上二氧化硅超薄层的励磁诱导应力研究
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:基于衬底电流分析的薄氧化物NmOsFET软击穿特性
机译:恒定隧穿电流应力下二氧化硅的时间相关介电击穿
机译:在不降低击穿电压特性的情况下用于形成浅结的源/漏区的击穿特性改进的晶体管制造方法
机译:半导体器件,能够改善击穿特性并保持绝缘栅双极晶体管的开关特性和低耐压性
机译:在保持恒定电压的情况下,可以串联转换一个电路,在该电路中,可以是足够数量的并联消耗电流的器件,在恒压电源的情况下具有恒定的电流消耗电阻
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