应力下LDD nMOSFET栅控产生电流退化特性研究

摘要

研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电子而使得产生电流曲线基本恢复到初始状态。进一步发现产生电流峰值在空穴应力对电子应力引发的退化的恢复程度与阈值电压和最大饱和漏电流不同。电子应力中陷落电子位于栅漏交叠区附近的沟道侧I区和LDD侧的II区中氧化层中。GIDL应力中,空穴注入进II区中和了陷落电子,使得产生电流的退化基本得到恢复,但这些空穴并未有效中和I区中的陷落电子,因此阈值电压和最大饱和漏电流退化恢复的程度较小,分别为20%和7%。