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机译:超薄氧化层软击穿后栅极和衬底电流的性质
机译:超薄栅极氧化物中软击穿电流的电压和温度依赖性模型
机译:超薄栅氧化物软击穿渗流电流的统计分布
机译:超薄栅极氧化物的软击穿和硬击穿是否实际上是不同的失效机制?
机译:超薄栅极氧化物中的软击穿(SBD)后的漏电流路径的电子速度饱和和可能的横截面积
机译:超薄栅极氧化物的降解和分解。
机译:调音氧化物和氮化物的材料特性等离子体增强原子层沉积过程中的衬底偏置效应在平面和3D基板地形上
机译:基于衬底电流分析的薄氧化物NmOsFET软击穿特性
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。