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机译:超薄栅极氧化物中软击穿电流的电压和温度依赖性模型
Institut fuer Mikroelektronik, Technische Universitaet Hamburg-Harburg, AB 4-08, D-21071 Hamburg, Germany;
机译:超薄栅极氧化物中软击穿传导机制的电压和温度依赖性的一致模型
机译:T / sub BD /幂律与超薄栅氧化物中氧化物击穿电压相关的实验证据
机译:超薄氧化物的击穿电压和温度相关性的相互关系
机译:超薄栅氧化物中软击穿传导的温度依赖性实验研究与建模
机译:高K栅极电介质堆叠的电压和温度相关的栅极电容和电流模型
机译:人体内电压门控H +电流的温度依赖性中性粒细胞大鼠肺泡上皮细胞和哺乳动物吞噬细胞
机译:超薄栅极氧化物的氧化物击穿电压和温度加速度的相互作用
机译:利用电压和温度依赖性研究中子辐照al(x)Ga(1-x)N / GaN非均相场效应晶体管的栅极电流