The University of Texas at Austin;
机译:界面层和过渡区对高K栅极电介质堆叠的栅极电流性能的影响:其与栅极电容的权衡
机译:从与温度相关的电流-电压和电容-电压测量中探索氧化镧栅介质膜的俘获特性
机译:GaN上Al2O3栅介质堆叠中缺陷的随温度变化的电容电压分析
机译:温度边界条件在栅电极上的作用在25nm FD-SOI MOSFET中的热分布与SIO {SUB} 2和栅极堆叠(高k电介质)作为栅极氧化物
机译:通过高K材料进行栅极电流建模以及对栅极电容进行紧凑建模。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:具有高K介质的深亚微米mOsFET中直接隧穿栅极电流和栅极电容的建模。