半导体结构以及测试栅极氧化层的击穿电压的方法

摘要

本发明提供一种半导体结构以及测试栅极氧化层的击穿电压的方法，半导体结构包括：多个晶体管、多个二极管、多个保险丝、多个第一测量垫以及至少一个第二测量垫；每个晶体管均包括形成于一衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的衬底中的源极和漏极，所述栅极与所述衬底之间具有一栅极氧化层；每个二极管的正极连接一晶体管的栅极，每个二极管的负极与该晶体管的栅极连接同一第一测量垫，每个晶体管的栅极以及所述晶体管的栅极连接的第一测量垫之间设置一保险丝，所述衬底连接所述第二测量垫。本发明中，可以同时对多个晶体管的击穿电压进行检测，缩短测试周期。