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孙永健; 陈志忠; 齐胜利; 于彤军; 康香宁; 刘鹏; 张国义; 朱广敏; 潘尧波; 陈诚; 李仕涛; 颜建峰; 郝茂盛;
北京大学物理学院介观物理实验室;
上海蓝光科技有限公司;
氮化镓; 发光二极管; 激光剥离; 漏电流;
机译:通过化学剥离技术将薄膜GaN LED Epi结构转移到Cu衬底上
机译:飞秒激光剥离技术生产的可转移无衬底GaN LED芯片,用于柔性传感器应用
机译:通过改进的YAG激光剥离技术和带图案的蓝宝石衬底制造的具有高光提取复合表面结构的GaN基LED
机译:激光源对激光剥离GaN基LED结构损伤机理和反向偏置泄漏的影响
机译:通过晶圆键合和激光剥离将氮化镓薄膜与不同的衬底材料集成在一起。
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:局部热负荷下薄膜/衬底系统的热机械解决方案及其在GaN /蓝宝石结构的激光剥离中的应用
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:以及制造键合衬底GaN薄膜的方法,其制备方法和GaN基半导体器件
机译:GaN基LED器件和用于外延生长的衬底
机译:GaN基LED器件的单晶衬底和制造过程
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