一种基于柔性衬底的GaN基激光器与HEMT的器件转移制备方法

摘要

本发明提供一种柔性GaN基激光器与HEMT单片集成器件的制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上形成第一GaN基激光器、在第一衬底上形成第一HEMT外延片；S2：干法刻蚀激光器n型电极区域、激光器台面结构、及HEMT台面结构；S3：湿法刻蚀第一HEMT外延片的第一衬底，获得第二HEMT外延片，去除GaN基激光器的GaN基激光器衬底层，获得第二GaN基激光器；S4：将第二GaN基激光器以及第二HEMT外延片分别转移至对应的临时衬底，获得第三GaN基激光器和第三HEMT外延片；S5：将第三GaN基激光器和第三HEMT外延片先后转移至第三衬底；第三衬底为柔性衬底；S6：制备钝化层及电极。本发明避免器件隔离性差、难以实现柔性集成的技术问题，实现了安全性高、机械柔性和轻薄性好的技术效果。