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熊贻婧;
南昌大学;
电镀金属基板; 硅衬底; 氮化镓薄膜;
机译:从Si(111)基板转移到具有嵌入式宽p电极的电镀Cu基座上的GaN基发光二极管的性能改进
机译:使用弹性导电胶作为粘合剂在柔性金属基板上制造垂直结构的GaN基LED
机译:在大气压金属 - 有机化学气相沉积中通过低温未掺杂-GaN和高温未掺杂GaN之间的非连续/连续生长在(-201)β-Ga_2O_3基板上制造GaN的LED
机译:表面处理对带有电镀金属基板的垂直结构GaN基LED性能的影响
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:光辅助化学蚀刻后通过退火沉积的GaN基薄膜LED表面的纳米棒
机译:通过退火GaN / ZnO薄膜在Si衬底上自组装GaN纳米棒,纳米粒子和纳米管的生长和性能
机译:GaN器件开发项目基板结构分析和薄膜生长输入的现状
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译:沉积ITO薄膜和GaN基LED芯片的ITO GaN LED方法
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