机译:通过退火GaN / ZnO薄膜在Si衬底上自组装GaN纳米棒,纳米粒子和纳米管的生长和性能
机译:通过在Si衬底上氨化Ga203 / ZnO薄膜制备的GaN纳米棒的生长及其性质:结构,形态,化学状态和光致发光
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:生长后退火对n-ZnO纳米棒/ p-GaN发光二极管的电致发光性能的影响
机译:通过退火GaN / ZnO薄膜在Si衬底上自组装GaN纳米棒,纳米粒子和纳米管的生长和性能
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:GaN衬底上退火的ZnO纳米棒形成的高度整流异质结。
机译:基材和沉积后退火对(ZnO)1-x(GaN)X膜的结构和光学性质的影响