机译:跨导 - 漏极电流方法(GM / ID)在28 nM UTBB FD-SOI晶体管中晶体管尺寸的限制的证据
机译:采用28 nm UTBB FD-SOI CMOS技术的6T-SRAM单元尺寸的静态噪声裕度折衷
机译:像素间距匹配的超声接收器,用于在28nm UTBB FD-SOI中集成Delta-Sigma波束形成器的3D光声成像
机译:需要采用新的ESD验证方法来提高先进的28nm UTBB FD-SOI技术中IC的可靠性
机译:28nm UTBB FD-SOI ULP近阈值多核集群中P-N晶体管的独立偏置
机译:研究用于表征MOS晶体管的重组DCIV方法的理论局限性。
机译:像素间距匹配的超声接收器用于在28nm UTBB FD-SOI中集成Delta-Sigma波束形成器的3D光声成像
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管