首页> 中文期刊> 《微处理机》 >图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析

图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能力.这种结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力.

著录项

来源
《微处理机》 |2005年第4期|1-2|共2页
作者
程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉; 赵天麟; 李树良;
展开▼
作者单位

温州大学物理与电子信息学院;

温州;

325000;

中科院上海微系统与信息技术研究;

上海;

200050;

中科院上海微系统与信息技术研究;

上海;

200050;

东北微电子研究所;

沈阳;

110032;

东北微电子研究所;

沈阳;

110032;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
图形化SOI; LDMOSFET; 浮体效应; 自加热效应;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件 [J] . 高迎霞 ,孙秀婷 ,卢智嘉 . 固体电子学研究与进展 . 2015,第3期
2. 新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文) [J] . 程新红 ,杨文伟 ,宋朝瑞 . 半导体学报：英文版 . 2004,第12期
3. 一种适合射频功率放大器应用的图形化SOI LDMOSFET新结构(英文) [J] . 李文钧 ,孙玲玲 ,刘军 . 半导体学报：英文版 . 2007,第4期
4. 复合埋层上的薄层SOI-LDMOS功率器件 [J] . 阳小明 ,蔡育 ,李天倩 . 电子元件与材料 . 2012,第012期
5. SOI LDMOS功率器件的研究与制备 [J] . 程新红 ,杨文伟 ,宋朝瑞 . 微处理机 . 2007,第002期
6. 图形化SOI LDMOS跨导特性的研究 [C] . 曲越 ,李德昌 . 第六届中国纳米科技西安研讨会 . 2007
7. 新型SOI-LDMOS高压功率器件在开关电源Buck电路中的应用研究 [A] . 陈长江 . 2016

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号