跨导

摘要： 对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆盖的沟道面积较大时,被感应的载流子数量较多,所以跨导较大.此实验结果和分析对石墨烯晶体管的进一步理解和应用有明显的意义.

摘要： 南京电子器件研究所成功制备了一种W波段的GaN三级放大电路。采用电子束直写工艺制备了栅长为100 nm的AlGaN/GaN T型栅,其结构见图1。直流测试最大电流密度为1.3 A/mm,最大跨导为430 mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90 GHz及210 GHz（如图2所示）。采用该工艺制备的三级放大电路在75-110 GHz进行测试,其最大小信号增益为21 dB（如图3所示）。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117 W（如图4所示）,功率附加效率为13%,功率增益为11dB。

摘要： 分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程，揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律，建立了总剂量辐照条件下的双轴应变Si PMOSFET阈值电压与跨导等电学特性模型，并对其进行了模拟仿真。由仿真结果可知，阈值电压的绝对值会随着辐照总剂量的积累而增加，辐照总剂量较低时阈值电压的变化与总剂量基本呈线性关系，高剂量时趋于饱和；辐照产生的陷阱电荷增加了沟道区载流子之间的碰撞概率，导致了沟道载流子迁移率的退化以及跨导的降低。在此基础上，进行实验验证，测试结果表明实验数据与仿真结果基本相符，为双轴应变Si PMOSFET辐照可靠性的研究和应变集成电路的应用与推广提供了理论依据和实践基础。%In this work, the carrier microscopic transport process of biaxial strained Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (PMOSFET) underγ-ray radiation has been studied. Effect ofγ-ray on devices and the relationship between the variation of device electrical characteristics and the total dose are investigated. A model for considering the degradation of threshold voltage and transconductance due to the total dose radiation is established. Based on this model, numerical simulation has been carried out. Results show that the threshold voltage of PMOSFET decreases with increasing radiation dose. At a lower total dose, the threshold voltage decreases linearly. However, at a higher total dose, it becomes saturated. The degradation can be explained by the generation of trapped charges which increase the impact possibility of carriers in the channel and induce the reduction of mobility and transconductance accordingly. Finally, the simulation results are compared with the experimental data. A good agreement is observed, indicating the validation of our proposed model.

摘要： An analytical model for drain current of high-k gate dielectric fully-depleted nanoscale germanium-on-insulator (GeOI) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (PMOSFET) is established by solving two-dimensional Poisson’s equation to derive the surface potential and inversion charge in the channel region. This drain current model includes velocity-saturation, channel-length modulation and mobility-modulation effects;and it simultaneously considers the impacts of the interface-trapped charges at both gate oxide/channel and buried oxide/channel interfaces and the fixed oxide charges on the drain current. A good agreement between the simulated drain current and experimental data is achieved in both the saturation and non-saturation regions, confirming the validity of the model. Using the model, the influences of the main structural and physical parameters on transconductance, output conductance, cut-off frequency, and voltage gain of the device are investigated. These can be served as a guide for the design of the GeOI PMOSFET.%通过求解沟道的二维泊松方程得到沟道表面势和沟道反型层电荷，建立了高k栅介质小尺寸绝缘体上锗(GeOI) p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的漏源电流解析模型。模型包括了速度饱和效应、迁移率调制效应和沟长调制效应，同时考虑了栅氧化层和埋氧层与沟道界面处的界面陷阱电荷、氧化层固定电荷对漏源电流的影响。在饱和区和非饱和区，漏源电流模拟结果与实验数据符合得较好，证实了模型的正确性和实用性。利用建立的漏源电流模型模拟分析了器件主要结构和物理参数对跨导、漏导、截止频率和电压增益的影响，对GeOI PMOSFET的设计具有一定的指导作用。

摘要： 基于绝缘栅双极性晶体管简化等效电路，对影响IGBT输出外部信号的四个相关内部参数：栅极电容、跨导、剩余截流子寿命、栅漏极有效导电面积，进行了讨论并提出了推导方法。%Based on the simplified model of IGBT,the inner parameters of insulated gate bipolar transistor(IGBT) which influence the output signals,such as grid capacitance,transconductance,lifetime of remain carrier,and effective conductive area of gate and drain,were discussed and deduced.

摘要： 研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下，氧等离子体可以使AlGaN表面发生氧化，形成Al2O3薄氧化膜，提高肖特基势垒，从而降低GaN器件的阈值电压，提高器件导通电流。该结果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制备的应用中。

摘要： 本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性进行了测试与分析比较,还从热载流子效应机理对器件退化模式进行了解释.

摘要： 介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征。并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较，探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因。结果显示，氢氧合成工艺之所以比干氧工艺损伤明显，是因为H的引入产生了更多的界面态，从而使其单管的跨导明显下降所致。表明，对N沟输入CMOS运放电路，抑制辐照感生氧化物电荷尤其是界面态的增长，对提高电路的抗辐射特性至关重要。

摘要： 用低能量（５５０ｅＶ）氩离子束轰击ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ芯片的背面，能改善其阈值电压Ｖｒ、跨导ｇ〈，ｍ〉、沟道电导ｇ〈，ｄ〉、有效迁移率μ〈，ｅｆｆ〉等参数。结果表明，随着轰击时间的增加，阈值电压先减小，然后增大；而跨导、沟道电导和有效迁移率则先增大，随后减小。实验证明，上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果。

摘要： 在该研究工作中，利用该所生产的ＳｉＧｅ材料，研制ＳｉＧｅ沟道Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ器件。初步的研究结果表明，ＳｉＧｅ沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导比硅沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导高。如果在器件工艺采取进一步的改进措施，制作性能更好的ＳｉＧｅ ＰＭＯＳＦＥＴ是完全可能的。

摘要： 提出了一种跨导调整电路、跨导型误差放大单元及开关型功率变换器。该跨导调整电路至少部分地基于开关型功率变换器的输出电压产生与该输出电压成正比的偏置电流，并将该偏置电流提供至跨导型误差放大单元中的跨导型误差放大器，使该跨导型误差放大器的跨导与输出电压成正比。开关型功率变换器采用负反馈环路调整其输出电压，该跨导调整电路及跨导型误差放大单元可以使负反馈环路的带宽基本稳定，不受输出电压期望值变化的影响。

摘要： 本专利申请案包含一种具有至少一个输入及至少一个输出的线性跨导器，其包含：具有多个晶体管及多个输入的差动放大器，其中输入信号的差被放大；具有多个晶体管的栅地阴地电路，其中所述晶体管可操作地连接到所述差动放大器，其中通过下述方式来改善所述线性跨导器的输入与输出之间的反向隔离：通过将所述栅地阴地电路的所述多个晶体管中的至少一个晶体管安装为堆叠在所述差动放大器的所述至少一个晶体管上的共用栅极来去耦合所述线性跨导器的所述输入与所述输出；有效负载，其具有可操作地连接于所述栅地阴地电路与供应电压之间的多个晶体管；及辅助装置，其可操作地连接到所述有效负载、所述栅地阴地装置与接地之间的连接。

摘要： 本发明涉及一种低电源电压跨导可调的恒定跨导的轨到轨输入运算放大器，包括恒定跨导控制电路、轨到轨输入级和输出级。其中，恒定跨导控制电路通过反馈控制轨到轨输入级的尾电流，使轨到轨输入运算放大器的跨导近似为参考电阻阻值的倒数的2倍。同时可以通过改变参考电阻的阻值，来改变轨到轨输入运算放大器的跨导。本发明可工作在低电源电压下，具有轨到轨的共模输入范围，跨导可调，恒定跨导等优点。

摘要： 本申请公开了一种高线性度可编程AB‑C类混合跨导的低噪声跨导放大器，包括现场可编程结构，其中，现场可编程结构包括：混频接收器，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一隔直电容以及第二隔直电容；跨导放大器，其包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第三隔直电容以及第四隔直电容。本申请通过现场可编程结构对接收机进行编程，使其在不同的模式下工作，从而对于噪声、线性度、以及功耗进行优化，以适应不同信号的标准。

摘要： 本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种基于CMOS器件实现的跨导增强型低压跨导放大器，其包括一组PMOS管组成的差分输入对，将输入电压信号转换成电流信号；一组NMOS管组成的正反馈二极管，通过正反馈的形式增强跨导；两组高速电流镜，将增强后的小信号电流进行复制；由NMOS和PMOS管组成的输出级，提供输出阻抗和驱动能力。该跨导增强型低压跨导放大器具有在低电压下工作的能力，和原始放大器相比具有提升至少两倍带宽的能力，能节省一半功耗，并且低频增益也有相应的增强效果。本发明基于CMOS器件实现的跨导增强型低压跨导放大器具有很好的实用前景，能应用在多种电路模块中，如信号放大电路，AD/DA等电路。

摘要： 提出了一种跨导调整电路、跨导型误差放大单元及开关型功率变换器。该跨导调整电路至少部分地基于开关型功率变换器的输出电压产生与该输出电压成正比的偏置电流，并将该偏置电流提供至跨导型误差放大单元中的跨导型误差放大器，使该跨导型误差放大器的跨导与输出电压成正比。开关型功率变换器采用负反馈环路调整其输出电压，该跨导调整电路及跨导型误差放大单元可以使负反馈环路的带宽基本稳定，不受输出电压期望值变化的影响。

摘要： 本发明涉及一种低电源电压跨导可调的恒定跨导的轨到轨输入运算放大器，包括恒定跨导控制电路、轨到轨输入级和输出级。其中，恒定跨导控制电路通过反馈控制轨到轨输入级的尾电流，使轨到轨输入运算放大器的跨导近似为参考电阻阻值的倒数的2倍。同时可以通过改变参考电阻的阻值，来改变轨到轨输入运算放大器的跨导。本发明可工作在低电源电压下，具有轨到轨的共模输入范围，跨导可调，恒定跨导等优点。

摘要： 本发明揭示用于提供混频器块与跨导Gm块之间的高效接口的技术。在示范性实施例中，所述跨导块的至少两个单位单元的输出电流以导电方式耦合在一起，且使用单个导电路径而耦合到所述混频器块。对于差分信号，所述导电路径可包括两条导电引线。在所述混频器块内，所述单个导电路径可扇出到所述混频器块的至少两个单位单元。可选择性地启用或停用至少一个Gm单位单元以控制所述混频器-跨导块的增益设定。所述技术可进一步应用于支持同相及正交混频以及多模式及/或多频带操作的收发器架构。

摘要： 本实用新型涉及一种跨导放大器失调的自适应补偿装置及跨导放大器，包括失调检测与补偿单元，所述失调检测与补偿单元用于对跨导放大器输出端信号进行失调检测和补偿，所述失调检测与补偿单元与跨导放大器相连接；状态控制单元，所述状态控制单元用于切换跨导放大器工作状态，所述工作状态包括失调检测与补偿状态和跨导放大工作状态；所述状态控制单元信号输出端接跨导放大器、失调检测与补偿单元的切换开关。本实用新型结构简单，易于操作，能够对跨导放大器进行有效自动补偿。

摘要： 本实用新型提出了一种跨导调整电路、跨导型误差放大单元及开关型功率变换器。该跨导调整电路至少部分地基于开关型功率变换器的输出电压产生与该输出电压成正比的偏置电流，并将该偏置电流提供至跨导型误差放大单元中的跨导型误差放大器，使该跨导型误差放大器的跨导与输出电压成正比。开关型功率变换器采用负反馈环路调整其输出电压，该跨导调整电路及跨导型误差放大单元可以使负反馈环路的带宽基本稳定，不受输出电压期望值变化的影响。