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唐盼盼;
哈尔滨工程大学;
电场调制; LDMOS; SOI器件; 结构设计;
机译:TiN金属栅对膜应力的调制对应力工程的影响及其对金属栅/ High-k介电SOI FinFET器件特性的影响
机译:基于SI的存储器件的电场控制接口偶极调制
机译:基于镧系元素二聚体的全固态器件对电场的可逆发光调制
机译:FDSOI器件用于超低功耗运行的电气特性研究
机译:超小型基于SOI的集成光子器件的设计,制造和表征。
机译:基于人中耳传导效应的假体结构设计与振动特性研究
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:转移电子器件调谐和调制特性的理论和实验研究。
机译:形成在SOI衬底上的半导体器件元件,该SOI衬底包括空心区域,并且在电场缓和区域中具有电容器
机译:电场调制模磁光器件及其驱动方式,光调制器,光调制方式,光隔离器及其调整方式
机译:考虑到具有电场特性的交流电压,具有电场特性的脉冲电压以及绝缘板的部分放电起始电场特性的高温超导电缆绝缘厚度的设计方法
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