功率管

摘要： 在开关电源中,开关管烧坏的主要原因有:过流、过压和过热,其中,过流最常见。开关管所用的场效应功率管的容许电流都很大,如常见的10N60型管,最大电流达到10A,瞬时最大电流可达30A,比电视机上的保险管的额定电流大许多,为何仍会出现过流烧坏呢?为说明这一问题,特附上开关电源简图(如图1所示)进行说明。

摘要： 采用两只总栅宽100 mm的0.5μm工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络,实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管。在+36 V、-2 V工作电压下,1.14~1.26 GHz内,功率管输出功率≥600 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥55%,体积仅为33 mm×17 mm×2 mm,重量仅为3.5 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景。

摘要： 一台坂田C-21BB1型电磁炉,一插市电就跳闸,无法使用。分析检修:根据故障现象初步判断,故障应是功率管爆管击穿或桥堆损坏造成机内短路所致。拆机检查,IGBT管(25N120)爆管,桥堆完好。

摘要： 一台海信TLM22V88X型液晶电视,在收看过程中突然三无。拆机检查,发现电源板上初级推动管和功率管V801、V814、V813及R822等多只元件损坏,怀疑电源芯片SG6859ADZ也已损坏。考虑到损坏元件较多,且整机功率不大,决定用模块代换。网购5-24V电源通用模块,换上后开机,故障排除。

摘要： 采用总栅宽36 mm的0.5 um工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、优化匹配网络,设计了一款包含扼流电路的S波段小型化内匹配功率管。在+48 V、-3.1 V工作电压下,2.7~3.4 GHz内,功率管输出功率≥250 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥60%,尺寸仅为15 mm×6.6 mm×1.5 mm,重量仅为0.6 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景。

摘要： 本项目设计了一种以印刷铝基板为加热平台,STC12C5A60S2为单片机控制芯片,采用直流24 V电压供电,设计MOS管功率驱动电路,利用温度传感器获取到加热平台的温度,根据用户设定的加热模式及温度采用PID算法调节加热曲线,形成闭环控制,以达到加热平台恒温的目的。最后实验结果表明,所设计的整套系统,具有低成本,灵敏度高,适合发烧友玩家DIY的一款产品,具有较高的使用和推广价值。

摘要： 在今年慕尼黑音响展上,Tsakiridis Devices希腊神曲首次展示了其新作品——Reference旗舰电子管合并式放大器。Reference是神曲新的合并式放大器旗舰型号,融合了神曲超过33年的创作经验,采用顶级材料制造,每声道输出功率100W,使用KT170功率管,在前级部分则使用ECC81。

摘要： 例1:上电后,电源指示灯不亮,无声音。分析检修:该音箱采用开关电源供电,其实绘电路如图1所示。查保险电阻R1、功率管Q2(13003)推动管Q1(C945)及次级整流滤波元件,均正常,但启动电阻R4开路。用三只330kΩ电阻串联后替换R4试机,故障排除。

摘要： 为使有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器最大限度的节省电源消耗,延长电池寿命,传统的P型金属氧化物半导体(PMOS)功率管需要较大的面积来减小开关损耗。针对上述问题,提出了基于N型金属氧化物半导体(NMOS)功率管的Buck-Boost转换结构,与同等宽长比的PMOS相比,NMOS作为功率管大幅降低了开关管的导通损耗,提升了系统转换效率;同时设计了一种恒定的NMOS功率管栅极驱动电路,保证功率管充分导通。采用所提结构实现了一款峰值电流模脉宽调制(PWM)控制的Buck-Boost型DC/DC转换器,验证结果显示输入电压为3.7 V,输出电压为-4 V,负载电流在35~200 mA范围内,转换效率维持在91%以上,为高效AMOLED的显示技术提供了有效的解决方案。

摘要： (上接10期专题)(2)自举升压电路原理如图6所示(见上期11页),为了避免上桥的驱动功率管得电后,由于+310V电压至U、V、W(W1与W2相接)后因比功率管栅极电压高,导致上桥功率管进入到截止状态。

摘要： 本文提出了一种尖峰限制型的功率管电流自适应驱动方法.功率管的开关速度可以随着电感电流(负载)的变化而自适应调节,调节的原则是轻载下加快功率管的开关速度,开关速度的加快使电流与电压尖峰随之增大但不超过满载时的最大值.文中详细分析了控制原理与功率管的开通过程,结合功率管的开关瞬态过程得出了开关过程中电压电流尖峰与驱动电流、寄生电感的关系,依据所得几者的关系设计了一种自适应调节驱动电路并进行了实验论证.实验结果表明了理论分析的正确性,采用所提出方法相比传统方法在轻载下变换器的效率可提高近1.5％左右.

摘要： 当电流传感器出现性能蜕化、故障或失效时,光伏微逆变器系统的输出会受到严重影响,甚至微逆变器系统其他部件有可能被直接损坏而导致整个系统永久失效;微逆变器系统中反激式变换器功率管的开路故障会引起2个交错支路电流不平衡,导致输出电流波形畸变率变大.为此,提出一种基于状态观测器的光伏微逆变器电流传感器和功率管开路故障诊断方法.建立两路反激式变换器的数学模型;构建状态观测器以实现对两路反激式变换器原边电流的在线估计,并生成残差;将残差与阈值进行比较,实现对微逆变器系统中电流传感器与功率管的实时故障诊断.仿真结果验证该方法可行且有效.

摘要： 本文分析并提出一种功率管栅极的驱动电路，在分析电路的延迟、死区时间控制、栅极电荷充电以及EMI辐射的前提下，对电路进行了优化设计。该电路在最小化延迟、死区时间控制、降低EMI辐射以及芯片面积之间实现较好的折中，并提供Level_shift和8ns的死区时间。

摘要： 在4英寸化合物工艺线上使用国产外延材料成功研制C波段InGaP/GaAsHBT功率管,器件的热稳定性和高频功率特性良好.电流增益截止频率(fr)和最大振荡频率(fmax)分别为34GHz和32GHz;10×30×2μm2功率管的LoadPull在片测试饱和输出功率为1W,功率密度3.33W/mm;1dB功率压缩点输出功率为28.8dBm,线性功率增益大于9dB.

摘要： 针对反激式变换器功率管关断瞬间出现的尖峰电压问题,提出了两种抑制方法:设计适当的电压钳位模式RCD Clamp电路及降低主变压器漏感.

摘要： 针对分布式供电系统中的蓄电池接口,研究了一种新型的基于电流源半桥的双向直流变换器.简要阐述了变换器的工作原理,分析了在控制高低压侧正负脉冲宽度相等时的功率传递关系表达式以及软开关范围.为了拓宽了变换器的软开关范围,对高压侧功率管的控制方式进行了改进.基于saber软件搭建了变换器的仿真模型,进行了稳态以及动态仿真,并对仿真结果进行了分析.

摘要： 本文介绍一种S波段300W功率放大器模块设计,功放模块由功放单元与分配合成单元组成.展开讨论了功放单元的功率管选择、匹配电路设计以及分配合成器的仿真设计,并以此组成功放模块进行实物测试,得到了300W输出功率和40％效率的特性.

摘要： 本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5～14.0 GHz频带内,饱和输出功率6.45 W,功率增益7.1 dB,功率附加效率34％.

摘要： 近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析了军民两种应用对器件要求的差异,指出高压工作时的长寿命是当前的难点.同时指出SiC MESFET已解决了高压工作时的可靠性问题,因而已被装备采用.最后对加速我国的微波宽禁带半导体器件实用化进程提出了建议.

摘要： 本文讨论了X波段微波功率异质结双极晶体管(HBT)的设计,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果.研制的器件在X波段功率输出大于5W,功率密度达到2.5W/mm.采用Φ76mm工艺制作,工艺成品率高.

摘要： 功率管理系统包括：功率管理装置，其被配置为管理多个功率负载要使用的功率；以及大功率使用型功率负载。大功率使用型功率负载被定义为在以最大使用功率进行工作的情况下、使用功率超过容许功率和比该容许功率小的上限功率之间的差的功率负载。功率管理装置通过使用多个功率负载的总使用功率和上限功率来计算大功率使用型功率负载可利用的剩余可用功率，并且时时通知该剩余可用功率。大功率使用型功率负载在其使用功率等于或小于功率管理装置所通知的剩余可用功率的范围内开始工作。

摘要： 本发明公开一种功率管供电电路及功率管测试装置，该电路包括按键控制电路、主控制器、充电开关及储能电容，主控制器的多个按键信号输入端与按键控制电路的多个按键信号输出端一一对应连接，主控制器的第一控制端与充电开关的受控端连接；充电开关的输入端用于接入高压直流电源，充电开关的输出端与储能电容的连接；其中，按键控制电路，用于接收用户输入的按键指令，并将按键指令对应的按键信号输出至主控制器，以使主控制器根据电压按键信号设置充电阈值电压，以及在接收到充电按键信号时，控制充电开关闭合，以触发储能电容充电，并在储能电容的电压值达到充电阈值电压时，控制充电开关断开，从而解决了储能电容容易过充或欠充的问题。

摘要： 本发明提供一种功率管理装置、功率管理方法及像素电路。该功率管理装置包括功率管理电路。所述功率管理电路被配置成将第一功率信号及第二功率信号输出到显示面板的像素电路。所述像素电路包括有机发光二极管。所述有机发光二极管包括阳极端子及阴极端子。所述阳极端子耦合到所述第一功率信号。所述阴极端子耦合到所述第二功率信号。所述第二功率信号是交流电压。

摘要： 功率管理系统包括：功率管理装置，其被配置为管理多个功率负载要使用的功率；以及大功率使用型功率负载。大功率使用型功率负载被定义为在以最大使用功率进行工作的情况下、使用功率超过容许功率和比该容许功率小的上限功率之间的差的功率负载。功率管理装置通过使用多个功率负载的总使用功率和上限功率来计算大功率使用型功率负载可利用的剩余可用功率，并且时时通知该剩余可用功率。大功率使用型功率负载在其使用功率等于或小于功率管理装置所通知的剩余可用功率的范围内开始工作。

摘要： 本公开射频功率管芯和包含所述射频功率管芯的功率放大器模块。实施例公开了具有倒装芯片架构的射频(RF)功率管芯，以及包含此类RF功率管芯的功率放大器模块(PAM)。所述PAM的实施例包括模块基板和RF功率管芯，所述RF功率管芯以倒置朝向安装到所述模块基板的表面。所述RF功率管芯又包括具有前侧和相对的后侧的管芯主体、具有形成在所述管芯主体中的有源区的晶体管，以及形成在管芯主体前侧上方的前侧层系统。所述前侧层系统包含限定第一、第二和第三分支电极结构的图案化金属层，所述第一、第二和第三分支电极结构电耦合到所述晶体管的所述有源区。前侧输入/输出接口形成在所述前侧层系统的外部端部分中并且包含分别电耦合到所述第一、第二和第三分支电极结构的第一、第二和第三键合垫。

摘要： 本公开涉及一种功率管驱动电路和功率管驱动方法，所述功率管驱动电路包括输入模块、输出模块和变压器。其中，输入模块用于获取PWM信号和变压器的初级端的电压，并在获取到的PWM信号有效的情况下，控制变压器的初级端产生交变电流，并根据所述变压器的初级端的电压调整所述变压器的振荡频率；输出模块用于接收所述变压器的次级端的电压信号，并根据所接收到的电压信号控制功率管的开闭；所述输入模块和所述输出模块通过所述变压器连接，所述变压器用于将所述输入模块和所述输出模块隔离。这样能够确保变压器的振荡频率与其本身的参数相匹配，使振荡幅度较大，以满足变压器次级信号接收的需要，从而可靠、高效地驱动功率管的开闭。

摘要： 本公开涉及一种功率管驱动电路和功率管驱动方法。功率管驱动电路包括输入模块、输出模块和变压器，输入模块和输出模块通过变压器连接，输入模块用于根据所获取的输入信号控制变压器的初级端产生交变电流；输出模块用于接收变压器的次级端的电压信号，并根据所接收到的电压信号控制功率管的开闭。输入模块包括：控制模块，用于根据电源电压的大小输出控制信号；限流电阻模块，用于根据控制信号调节输入模块中限流电阻值的大小，以使限流电阻值随着电源电压的增大而增大。当电源电压较小时，限流电阻值较小，以确保驱动电流足够大，实现信号的有效发送与接收。随着电源电压的增大，限流电阻也随之增大，使驱动电流减小，从而减小了芯片的功耗。

摘要： 本申请实施例提供一种功率管故障检测方法和级联功率管故障检测方法，其中，全桥拓扑包括第一侧端口和连接有储能电池的第二侧端口；该功率管故障检测方法包括：控制位于不同桥臂的每组对角功率管轮流导通，分别检测对应组对角功率管导通时第一侧端口的电压；第一侧端口的电压绝对值不等于储能电池的两端电压时，控制每组同侧功率管轮流导通，分别检测对应组同侧功率管导通时第一侧端口的电压；根据每次第一侧端口的电压绝对值与所述两端电压的相等情况、以及每次第一侧端口的电压与零的相等情况确定故障功率管的位置。该方法无需增加额外的硬件器件，大大降低了设备成本，还避免了硬件电路带来的误故障，降低了系统故障率等。

摘要： 本实用新型公开了一种功率管散热结构、功率管，功率管散热结构包括：芯片，源端引脚，以及电连接并热连接芯片和源端引脚的源端散热板。本实用新型公开的功率管散热结构中，源端散热板热连接并电连接芯片和源端引脚，则源端散热板实现了对源端引脚的散热，提高了源端引脚的散热效果，从而提高了整个功率管的散热效果和通流能力；同时，源端散热板热连接并电连接芯片和源端引脚，可选择源端散热板中与芯片连接的一端宽于源端引脚，这样，可增多绑定线的数目，从而减小电阻，进一步降低了源端引脚的温度，从而提高了整个功率管的散热效果和通流能力。

摘要： 本实用新型公开了一种功率管固定结构、功率管散热装置、电子设备、电动车，其中，功率管固定结构，包括：箱体，固定柱，功率管，以及弹性压紧件；其中，箱体内设置有凹陷部，固定柱固定于箱体且位于凹陷部内，功率管位于凹陷部内，弹性压紧件固定于固定柱且能够将功率管压紧于凹陷部内。上述功率管固定结构增大了弹性压紧件和电路板的之间的距离，使得弹性压紧件与电路板的安规距离能够满足要求，较现有技术将电路板部分区域空置或抬高电路板相比，减小了整个产品的体积，也降低了成本；同时，上述弹性压紧件无需做绝缘处理，也减小了整个产品的体积，降低了成本。