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Ku波段6W GaAs内匹配功率管

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本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5～14.0 GHz频带内,饱和输出功率6.45 W,功率增益7.1 dB,功率附加效率34％.

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来源
《第六届全国毫米波亚毫米波学术会议》|2006年|348-350|共3页
会议地点哈尔滨
作者
钟世昌; 陈堂胜; 林罡; 李拂晓;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类复合管;
关键词
砷化镓; 电子迁移率晶体管; 内匹配电路; 功率管;

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