场效应

摘要： 在开关电源中,开关管烧坏的主要原因有:过流、过压和过热,其中,过流最常见。开关管所用的场效应功率管的容许电流都很大,如常见的10N60型管,最大电流达到10A,瞬时最大电流可达30A,比电视机上的保险管的额定电流大许多,为何仍会出现过流烧坏呢?为说明这一问题,特附上开关电源简图(如图1所示)进行说明。

摘要： FSDM/H/L系列单片低功耗离线式开关电源芯片由飞兆公司研发和生产,电源电压输出控制方式是电流型脉宽调制(PWM),有“绿色芯片”之称。芯片内部集成有击穿电压为650V的“敏感型”场效应功率开关管.高压启动电流源、固定频率振荡器、内部偏置电路.脉冲前沿闭锁电路、欠压保护电路、过压保护电路、过载保护电路、异常过流保护、过热保护电路、自动重启动电路等。

摘要： 怎样才能使阅读更有效呢?专题式阅读是一个非常好的方法。专题式阅读,就是阅读一个专题单元,主题凸显能让散乱的语文学习有个“核”,形成有效阅读中的“场效应”。这里说的“主题”不是思想主题或知识主题,而是文化主题、精神主题,是那些连接着孩子精神世界、现实生活或者与历史典故、风土人情等有关的“触发点”“共振点”“兴奋点”。

摘要： 在CT图像采集过程中受到多种因素的影响,会使得图像边缘区域模糊程度加剧,因此,提出一种基于光照补偿的CT图像模糊增强方法。利用一组正交且光滑的基函数构成线性组合,定义为干扰因素的场效应,根据能量极小化函数获取最佳参数,滤除归一化处理后的场效应,得到补偿图像。设计光照补偿方法并将其融入模糊增强过程中,通过形态学处理获得锐化图像,完成模糊域转移,经平滑处理与双阈值策略识别出轮廓特征,同时实现补偿图像实现反模糊化处理,获取最终模糊增强图像。模拟实验结果表明,所提方法CT图像模糊增强优势显著,可以大幅度提升图像品质,使图像更加清晰、丰富,验证了该方法的有效性。

摘要： 近日,武汉理工大学麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展,相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表。该团队在储能芯片领域,设计构筑了第一个单根纳米线电化学储能器件,实现单纳米基元电化学储能器件从0到1的突破,进而研制出多点接触型等10套单纳米基元微纳电化学器件。这项开创性成果,曾受《自然》杂志邀请发表了该刊首篇以单根纳米线电化学器件为代表的实时监测电池退化专题论文。这是该团队在储能芯片领域又一突破。

摘要： 构建大中小幼一体化德育体系,旨在使育人产生场效应,出现德育上的弧光效应。推进一体化德育,需要聚焦问题,关爱育人者,进一步从育人目标、理念、政策、机制、内容、队伍、研究、方法、途径、评价、反馈的全视角,协同发力.整体推进,有效构建立德树人系统化落实机制,使育人呈现整体优化效果。

摘要： 创新构建了"白鹭沚"水技术与环保公共学习空间,打破物理空间壁垒,探索实验功能与生活功能的结合,建设了由室内室外实验空间构成的实验室群;形成了"知行合一"的"校园实验场"构想,释放了学习空间正式学习与非正式学习的自由切换功能;促进了学科资源的联通融合,并催生出一系列跨学科主题学习项目;打通了校内外、线上线下资源的连接,满足了学生的多元需求;激活了"场"效应,促进了学生综合素养发展,推动了学校"三园"(绿色温馨的校园、学习生活的乐园、精神生活的家园)的构建.

摘要： 新闻只有通过传播才实现其自身的价值,新闻与其传播环境密不可分。正如个人与其环境构成心理场、群体与其环境构成社会场一样,新闻与其传播环境,构成了新闻场。不同性质的新闻,其传播环境不同,新闻场不同,其传播的空间大小各异。按照新闻所能影响的区域和其影响强度,新闻场可以分为核心区和弥散区。新闻通过传播与社会环境之间形成了互动,这就是新闻场的场效应。

摘要： “云剧场”的出现不仅在被迫“宅”生活中吸引了观众对传统剧场期待视野的回归,而且努力丰富交互样式,对戏曲本体进行整体传播、分支传播及延伸传播,在观演互动中重新建构出“场效应”,从而使得“云剧场”不是被逼无奈选择下的昙花一现,而有望成为新的戏曲传统.

摘要： 教育的“场效应”就是教育者与被教育者在较为开放的教育环境下,通过较为自由的交流、碰撞,产生良好教育效果的现象。仙桃市精英学校“基于学的指导”的教学改革,旨在努力帮助学生提升学习力。为此,学校十分注意为学生学习力的提升建“场”,让教育的“场效应”无处不在。

摘要： 柴油机燃烧系统的设计及匹配一直是柴油机研究的重点。本文提出了一种新的柴油机燃烧系统场效应分析方法，针对喷雾混合过程进行微观及宏观仿真分析研究。场效应分析方法从燃油浓度场和速度场对混合过程的影响规律入手，将这两个场量对传质的作用通过场效应角进行量化，从而对燃烧系统的优劣进行定量的评价，指导燃烧系统的设计或优化匹配。本文对某缸径单缸柴油机的进气及喷油参数进行了基于场效应分析方法仿真计算，并以喷雾锥角的匹配为例在单缸机上进行了试验验证，证明了场效应分析方法的有效性和实用性。

摘要： 利用晶体热力学理论,分析计算了裂纹尖端及其邻域的晶体缺陷场(空位型),并结合断裂力学和损伤力学讨论了原子空位场对裂端处材料性质的影响.研究结果表明,裂尖存在原子空位场,这一晶体缺陷场从材料质量密度的角度反映了裂端及其邻域材料损伤的物理特性,本文依此提出了具有明确物理意义的裂端损伤参量β;利用裂尖空位场理论,讨论了裂端及其邻域材料的弹性模量(~E),提出了线弹性断裂力学K场裂端应力有界不存在"奇异性"的观点;导出了理想弹塑性材料平面应力的Dugdale模型裂纹考虑裂端材料晶体缺陷场的解;根据以上研究,本文提出了裂纹失稳扩展的空位机制,并据此导出了含裂纹材料的强度估算公式,对几种材料的计算,得出了与Griiffth的理论断裂强度计算公式几近相等的结果.

摘要： 场效应电能储存方法、场效应电能储存装置和场效应电池，涉及电子材料技术和电能储存技术。本发明的场效应电能储存方法采用半导体或快离子导体作为电能储存媒质，在电能储存媒质与电极之间设置绝缘层，将储能媒质中的载流子与电极中的自由电荷隔离。本发明具有储能密度高、储能效率高、充放电速度快、电池内阻小（可大电流使用）、电池寿命长、对环境友好、原材料价格便宜、可大规模工业化生产等特点，在能源、交通、通讯及日常生活中具有广泛的用途。

摘要： 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。

摘要： 提供一种垂直鳍式场效应晶体管(100)。垂直鳍式场效应晶体管具有：半导体鳍(14)；n掺杂源极区(30)；n掺杂漂移区(10)；在所述半导体鳍(14)中垂直地在所述源极区(30)与所述漂移区(10)之间布置的n掺杂沟道区；与所述沟道区水平相邻的至少一个栅极区(24)；栅极电介质(32)，所述栅极电介质使所述栅极区(24)与所述沟道区电绝缘，其中，所述栅极电介质(32)与所述沟道区之间的界面具有负界面电荷；p掺杂栅极屏蔽区，所述栅极屏蔽区如此布置在所述栅极区(24)下方，使得在垂直投影的情况下，所述栅极屏蔽区位于由所述栅极电介质(32)限界的面积内；源极接触部(28)，所述源极接触部与所述源极区(30)导电连接；以及在所述栅极区(24)与所述n掺杂栅极屏蔽区之间的导电区(18，20)；其中，所述p掺杂栅极屏蔽区借助所述导电区(18，20)与所述源极接触部(28)导电连接。

摘要： 场效应电能储存方法、场效应电能储存装置和场效应电池，涉及电子材料技术和电能储存技术。本发明的场效应电能储存方法采用半导体或快离子导体作为电能储存媒质，在电能储存媒质与电极之间设置绝缘层，将储能媒质中的载流子与电极中的自由电荷隔离。本发明具有储能密度高、储能效率高、充放电速度快、电池内阻小（可大电流使用）、电池寿命长、对环境友好、原材料价格便宜、可大规模工业化生产等特点，在能源、交通、通讯及日常生活中具有广泛的用途。

摘要： 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。

摘要： 一种异质结构场效应晶体管(HFET)，可以包括由第一半导体材料制成的第一层(3)和由第二半导体材料制成的第二层(4)。在第一层和第二层相互接触之处可以提供界面(8)，沿着所述界面(8)，二维电子气(2DEG)(9)被形成在与该界面直接相邻的第一层的一部分中。晶体管还进一步包括：栅极结构(6)，其用于控制沟道的电导；衬底层(1)，其由衬底半导体材料制成；以及电介质层(2)，其将第一层与衬底层分隔开。接触(7)可以包括在衬底层和第一层之间的电连接(70)。电连接可以包括穿过电介质层的通道(22)，所述通道填充有与第一层电连接的导电材料。

摘要： 本案涉及鳍式场效应晶体管存储单元(200)，鳍式场效应晶体管存储单元配置及制造鳍式场效应晶体管存储单元的方法。所述鳍式场效应晶体管存储单元包含一第一(201)与第二(202)源极/漏极区域以及一栅极区域。鳍式场效应晶体管存储单元更包含围绕在所述第一及第二源极/漏极区域间的沟道区域的一半导体鳍状物(204)。而第一电荷储存层(207，208)，则至少设于所述栅极区域的一部分中。字符线区域(205，206)则排列在所述电荷储存层的至少一区段中。所述电荷储存层乃经过设计，因此可藉由对所述鳍式场效应晶体管存储单元施加预定电位而选择性地将电荷载子导入所述电荷储存层或将电荷载子自所述电荷储存层移除。

摘要： 在不同的实施例中，提供了一种垂直场效应晶体管(100)。垂直场效应晶体管(100)具有带有第一侧和与第一侧对置的第二侧的沟槽结构(128)。在第一侧上构造场效应晶体管(100)(FET)沟道并且第二侧不具有FET沟道。FET沟道具有氮化镓(GaN)区域和与其邻接的氮化铝镓(AlGaN)区域(110)。GaN区域(132)具有p型导电的第一区(106)和构造在其上的第二区(108)。垂直场效应晶体管(100)还具有源电极(130)，所述源电极与所述GaN区域(132)的p型导电的第一区(106)和所述AlGaN区域(110)导电连接。

摘要： 本发明涉及鳍式场效应晶体管的制造方法，涉及半导体集成电路技术，通过在形成金属栅极结构的金属栅、栅介质层和功函数层之后，去除金属栅的超出鳍体区域的端部的一部分，由于功函数层已经形成，因此无需担心功函数层的形成窗口是否满足工艺需求，因此可去除较多的金属栅的端部区域，而可将最终形成的鳍式场效应晶体管器件的栅极与源极之间的寄生电容Cgs或栅极与漏极之间的寄生电容Cgd尽量减小，且能使工艺更加简单。

摘要： 提供一种垂直场效应晶体管(100)，该垂直场效应晶体管具有：具有第一导电类型的漂移区(112)、在所述漂移区(112)上面或者在所述漂移区(112)上方的沟槽结构(102)、屏蔽结构(118，119)和源/漏电极(151，152)。沟槽结构(102)具有至少一个侧壁，在所述侧壁上构造场效应晶体管(FET)沟道区，其中，所述FET沟道区具有用于在III‑V族异质结构(117，121)的界面上构造二维电子气的III‑V族异质结构(117，121)。屏蔽结构横向地布置在所述沟槽结构(102)的至少一个侧壁旁边，并且垂直地延伸到所述漂移区(112)中，或者垂直地在所述漂移区(112)的方向上比所述沟槽结构(102)更远地延伸。屏蔽结构(118，119)具有不同于第一导电类型的第二导电类型。源/漏电极(151)与沟槽结构(102)的III‑V族异质结构(117，121)和屏蔽结构(118，119)导电连接。