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International symposium on silicon materials science and technology
International symposium on silicon materials science and technology
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1.
EVALUATION OF PHYSICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF MOLYBDENUM IN SILICON FOR IC PROCESSING
机译:
IC加工硅钼物质和电性能评价
作者:
J. Becerro
;
F. A. Stevie
;
D. J. Eaglesham
;
J. A. Johnson
;
B. Jackson
;
D. C. Jacobson
;
J. L. Benton
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
2.
Analysis of Iron Precipitation in Silicon as a Basis for Gettering Simulations
机译:
硅铁沉淀分析作为吸收模拟的基础
作者:
E. R. Weber
;
C. Flink
;
S. A. McHugo
;
A. A. Istratov
;
H. Hieslmair
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
3.
PROCESS-INDUCED SILICON ELECTRICAL DEFECTS AND GATE OXIDE LEAKAGE BY THE CORONA-OXIDE-SEMICONDUCTOR MEASUREMENTS
机译:
电晕氧化物半导体测量的处理诱导的硅电缺陷和栅极氧化物泄漏
作者:
Min-Su Fung
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
4.
VACANCY SUPERSATURATIONS PRODUCED BY HIGH-ENERGY ION IMPLANTATION
机译:
通过高能离子植入产生的空位超饱和度
作者:
Bent Nielsen
;
Thomas Friessnegg
;
H.-J. Gossmann
;
D. C. Jacobson
;
Aditya Agarwal
;
T. E. Haynes
;
D. J. Eaglesham
;
V.C. Venezia
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
5.
DEFECT S CONTROL IN SUB-QUARTER MICRON DEVICES
机译:
子季度微米器件中的缺陷控制
作者:
K.Ikeda
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
关键词:
point defect;
plasma damage;
implantation;
TED;
interstitial Si;
vacancy;
6.
A GETTERING SIMULATOR: POLISHED WAFERS AND p/p~(++) EPILAYERS
机译:
一个吸收模拟器:抛光晶圆和P / P〜(++)脱落者
作者:
S.
;
L.C. Kimerling
;
S.H. Ahn
;
A.L. Smith
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
7.
Point Defect Based Modeling of Dopant Diffusion and Transient Enhanced Diffusion in Silicon
机译:
基于点缺陷硅掺杂剂扩散和瞬态增强扩散的建模
作者:
James. D. Plummer
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
8.
PROCESS EVALUATION TECHNOLOGIES FOR ULSI's
机译:
Ulsi的过程评估技术
作者:
HIROSHI KOYAMA
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
9.
ORGANIC CONTAMINATION ANALYSIS IN SEMICONDUCTOR SILICON TECHNOLOGY. DETRIMENTAL, CLEANLINESS' IN CLEANROOMS
机译:
半导体硅技术有机污染分析。在洁净室中有害,清洁
作者:
W. Holzapfel
;
W. Holzapfel
;
K. Budde
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
10.
INFLUENCE OF HEAVY BORON DOPING ON OXYGEN PRECIPITATION CHARACTERISTICS OF CZOCHRALSKI SILICON CRYSTALS AND ITS COMPUTER SIMULATION
机译:
重硼掺杂对Czochralski硅晶体氧沉淀特性的影响及其计算机仿真
作者:
Yutaka Kitagawara
;
Yoshinori Hayamizu
;
Ken Aihara
;
Hiroshi Takeno
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
11.
OPTIMISED DIODE ASSESSMENT OF THE SURFACE AND BULK GENERATION/RECOMBINATION PROPERTIES OF SILICON SUBSTRATES
机译:
硅基板的表面和散装/重组性能的优化二极管评估
作者:
A.
;
J. Katcki
;
A. Czerwinski
;
C. Claeys
;
A. Poyai
;
E. Simoen
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
12.
SEGREGATION GETTERING BY IMPLANTATION-FORMED CAVITIES AND B-Si PRECIPITATES IN SILICON
机译:
通过植入形成的空腔和B-Si沉淀物在硅中偏析
作者:
G.
;
H. Pattyn
;
J. Verheyden
;
G. Koops
;
W. Deweerd
;
J.R. Michael
;
T.J. Headley
;
C.H. Seager
;
D.M. Follstaedt
;
G.A. Petersen
;
S.M. Myers
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
13.
3C-SiC EPITAXIAL GROWTH ON LARGE-AREA Si SUBSTRATES: FABRICATION AND APPLICATIONS
机译:
大面积Si基材上的3C-SIC外延生长:制造和应用
作者:
Kuniaki Yagi
;
Hiroyuki Nagasawa
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
14.
CHALLENGES OF DOPING ULTRA-SHALLOW TRANSISTOR JUNCTIONS FOR GIGA-SCALE DEVICES
机译:
涂料超浅晶体管连接仪的挑战,用于缩级装置
作者:
Erin C. Jones
;
Lawrence A. Larson
;
Emi Ishida
;
Michael I. Current
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
15.
CHALLENGING OF 300mm VOLUME PRODUCTION
机译:
挑战300mm批量生产
作者:
Kinji Tsunenari
;
Keiichi Watanabe
;
Haruo Tsuchikawa
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
16.
THE ROLE OF IMPLANTATION DAMAGE IN THE PRODUCTION OF SILICON-ON-INSULATOR FILMS BY CO-IMPLANTATION OF He~+ AND H~+
机译:
植入损伤在绝缘体薄膜生产中的作用通过共注入他〜+和h〜+
作者:
Y. J. Chabal
;
M. K. Weldon
;
O.W. Holland
;
D. J. Eaglesham
;
Aditya Agarwal
;
T. E. Haynes
;
V.C. Venezia
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
17.
GATE-CONTROLLED PN JUNCTION LEAKAGE CURRENT FOR WIDE RANGE OF PERIMETER-TO-AREA RATIOS ―AN INCREASE IN THE LEAKAGE CURRENT CAUSED BY DEFECTS RELATED TO OXYGEN PRECIPITATION AND ITS TEMPERATURE DEPENDENCE―
机译:
栅极控制的PN结漏电流为宽范围的周边对面积的比率-AN增加由氧气沉淀有关的缺陷引起的漏电流及其温度依赖性 -
作者:
Kikuo Yamabe
;
Masasi Nisimura
;
Kei Matsumoto
;
Teimouraz Mchedlidze
;
Hiroto Ucuiyama
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
18.
DIFFUSION MECHANISMS IN SiGe ALLOYS
机译:
SiGe合金中的扩散机制
作者:
A.F.W. Willoughby
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
19.
COMPUTER SIMULATION OF IMPURITY GETTERING CAPABILITY IN SILICON FOR CURRENT GETTERING TECHNIQUES
机译:
电脑仿真硅芯片硅涂层电流吸气技术
作者:
S
;
Y. Kitagawara
;
H. Takeno
;
S. Tobe
;
Y. Hayamizu
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
20.
A MODEL FOR BLISTERING AND SPLITTING OF HYDROGEN IMPLANTED SILICON AND ITS APPLICATION TO SILICON-ON-QUARTZ
机译:
氢气植入硅的起泡和分裂模型及其在硅 - 石英中的应用
作者:
Ulrich M. Goesele
;
Yu-Lin Chao
;
Tien-Hsi Lee
;
Qin-Yi Tong
;
Li-Juan Huang
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
21.
PROCESS INDUCED MECHANICAL STRESSES IN SILICON
机译:
过程诱导硅中的机械应力
作者:
J. Vanhellemont
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
22.
METROLOGY FOR DEVELOPMENT AND MANUFACTURE OF PRESENT AND FUTURE GENERATIONS OF INTEGRATED CIRCUITS
机译:
对现代和后代的集成电路开发和制造的计量
作者:
Alain C. Diebold
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
23.
MANIPULATING ION-INDUCED DEFECTS TO IMPROVE IMPLANTATION PROCESSING OF SILICON
机译:
操纵离子诱导的缺陷以改善硅的植入处理
作者:
O.
;
A. Meldrum
;
O. W. Holland
;
E. G. Roth
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
24.
ELECTRICAL AND RECOMBINATION PROPERTIES OF PRECIPITATED AND INTERSTITIAL COPPER IN SILICON
机译:
硅中沉淀和间质铜的电气和重组性能
作者:
E.R.Weber
;
H.Hieslmair
;
T.Heiser
;
C.Flink
;
W.Schroeter
;
O.F.Vyvenko
;
M.Seibt
;
H.Hedemann
;
A.A.Istratov
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
25.
Direct Observation of Medium Field Breakdown Origin on MOS Capacitors Containing Grown-in CZ Crystal Defects
机译:
直接观察含有成长CZ晶体缺陷的MOS电容上的中型场击穿原点
作者:
Yutaka Kitagawara
;
Masahiro Kato
;
Satoshi Oka
;
George A. Rozgonyi
;
Zbigniew Radzimski
;
Masaro Tamatsuka
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
26.
SILICON ON INSULATOR WAFERS USING THE SMART CUT~R TECHNOLOGY.
机译:
硅在绝缘体晶片上使用智能切割〜R技术。
作者:
H. Moriceau
;
B. Aspar
;
M. Bruel
;
F. Metral
;
T. Barge
;
A.J. Auberton-Herve
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
27.
WSPS: WAFER SURFACE PREPARATION SYSTEM. A NOVEL MODULAR AUTOMATED METHOD CAPABLE OF THE ULTRATRACE ANALYTICAL INSPECTION OF 300 MM SILICON WAFER SURFACES
机译:
WSP:晶片表面制备系统。一种新型模块化自动化方法,可以进行300 mm硅晶片表面的超速度分析检查
作者:
Anton Huber
;
Peter Eichinger
;
Thomas Ehmann
;
Ludwig Kotz
;
Siegfried Pahlke
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
28.
THE INTERFACE OF SILICON SAMPLES JOINED AT ROOM TEMPERATURE BY WAFER DIRECT BONDING IN ULTRAHIGH VACUUM
机译:
通过晶片直接粘合在室温下在超高压真空中加入硅样品的界面
作者:
Ulrich Goesele
;
King Ning Tu
;
Heinz Stenzel
;
Joerg Bagdahn
;
Roland Scholz
;
Andreas P1oess1
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
29.
IN-SITU OBSERVATION OF DIFFUSION AND SEGREGATION OF Fe ATOMS IN Si CRYSTALS AT HIGH TEMPERATURE BY MOeSSBAUER SPECTROSCOPY
机译:
Moessbauer光谱法在高温下在高温下的Si晶体中Fe原子扩散和偏析的原位观察
作者:
F. Shimura
;
F. Shimura
;
Y. Yoshida
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
30.
SILICIDE AS DOPANT SOURCE: ULTRASHALLOW n AND p JUNCTIONS IN SILICON
机译:
硅化物作为掺杂剂来源:硅中的超级N和P结
作者:
H
;
B.P. Gila
;
R.T. Tung
;
H.-J. Gossmann
;
S.B. Herner
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
31.
AN EVALUATION OF METALLIC IMPURITY CLUSTER ON SILICON WAFER SURFACE BY SCI REPEAT CLEANING
机译:
SCI重复清洁对硅晶片表面金属杂质簇的评价
作者:
Takao Takenaka
;
Teruaki Fukami
;
Michihiro Mizuno
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
32.
HYDROGEN MOLECULES IN CRYSTALLINE SILICON
机译:
晶体硅中的氢分子
作者:
A.W.
;
V. Alex
;
A.W.R. Leitch
;
J. Weber
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
33.
EFFLUENT MONITORING WITH FTIR SPECTROSCOPY FOR LOW OPEN AREA OXIDE ETCH ENDPOINT DETECTION
机译:
具有FTIR光谱对低开口区域氧化物蚀刻端点检测的流出监测
作者:
I. C. A
;
H. M. Anderson
;
R. C. Woods
;
D. Rasmussen
;
Q. Yang
;
I. C. Abraham
;
E. Lu
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
34.
GRAZING-EMISSION X-RAY FLUORESCENCE SPECTROMETRY: A NOVEL TOOL FOR SURFACE CONTAMINATION ANALYSIS AND THIN FILM METROLOGY
机译:
放射发射X射线荧光光谱法:表面污染分析和薄膜计量的新型工具
作者:
M.M. Heyns
;
P.W. Mertens
;
S. De Gendt
;
H.P. Urbach
;
G. Wiener
;
S.J. Kidd
;
P.K. de Bokx
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
35.
SILICON-GERMANIUM PROCESS TECHNOLOGY
机译:
硅锗工艺技术
作者:
D
;
B. Meyerson
;
D. Harame
;
D. Ahlgren
;
S. Subbanna
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
36.
OXYGEN CLUSTERING IN CZOCHRALSKI SILICON AT LOW TEMPERATURES: ENHANCED DIFFUSION OR SPATIAL CORRELATION?
机译:
在低温下Czochralski硅中的氧气聚集:增强的扩散或空间相关性?
作者:
B
;
R.C.Newman
;
M.Ashwin
;
R.Falster
;
D.Gambaro
;
B.K.Johnson
;
S.A.McQuaid
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
37.
Integrated Processing of Mega- and Gigabit DRAMs
机译:
综合加工巨型和千兆DRAM
作者:
Gary Bronner
;
Johann Alsmeier
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
38.
A NOTE ON THE DIFFUSION COEFFICIENT OF INTERSTITIAL COPPER IN SILICON
机译:
硅中间隙铜扩散系数的说明
作者:
Eicke R. Weber
;
Henry Hieslmair
;
Thomas Heiser
;
Christoph Flink
;
Andrei A. Istratov
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
39.
ON THE EFFECT OF EDGE POLISHING ON THE YIELD OF 4MBIT DRAMs
机译:
关于边缘抛光对4Mbit DRAM产量的影响
作者:
W.Hanke
;
W.Hanke
;
R. Winkler
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
40.
THE IMPACT OF THE 300 mm SCALE-UP ON IC FAB PROCESS, METROLOGY, AND AUTOMATION EQUIPMENT
机译:
300 mm放大对IC Fab过程,计量和自动化设备的影响
作者:
Randal K. Goodall
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
41.
The Interrelation between the Morphology of the Oxygen Precipitates and the Junction Leakage Current in Czochralski Silicon Crystals
机译:
Czochralski硅晶体的氧气沉淀物形态与结漏电流之间的相互关联
作者:
Y
;
Y. Matsushita
;
Y. Kirino
;
T. Ihnuma
;
Y. Ushiku
;
H. Fujimori
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
42.
SCIENCE AND MODELING OF IMPURITY GETTERING IN SILICON
机译:
硅杂质杂质的科学与建模
作者:
R.
;
U. Goesele
;
S. M. Joshi
;
R. Gafiteanu
;
T. Y. Tan
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
43.
Effect of ITOX-process on the Electrical Characteristics of Buried Oxide in low-dose SIMOX
机译:
ITOX过程对低剂量SIMOX中埋氧化物电气特性的影响
作者:
T.
;
A. Yoshino
;
H. Ohnishi
;
T. Kitano
;
T. Hamajima
;
K. Hamada
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
44.
DOPANTS AND INTRINSIC POINT-DEFECTS DURING Si DEVICE PROCESSING
机译:
SI设备处理期间的掺杂剂和内在点缺陷
作者:
H.-J. Gossmann
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
45.
CURRICULUM VITAE OF OXIDE PRECIPITATES: FROM NUCLEATION DURING CRYSTAL GROWTH TO THEIR FINAL DESTINATION IN PROCESSED WAFERS
机译:
氧化物储层课程:在加工晶片中晶体生长期间的晶体生长至其最终目的地
作者:
H. Richter
;
P. Wagner
;
W. von Ammon
;
D. Graef
;
T. Grabolla
;
G. Morgenstern
;
R. Sorge
;
E. Dornberger
;
U. Lambert
;
J. Vanhellemont
;
G. Kissinger
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
46.
Time Efficient Corona Discharge Methods for Making Capacitance Measurements for High-Density DRAM Materials
机译:
用于高密度DRAM材料的电容测量的时间高效电晕放电方法
作者:
G.S. Horner
;
R. Wise
;
A. Banerjee
;
M. Bevan
;
D. Plumton
;
B.Y. Lin
;
I.J. Gupta
;
D.L. Crenshaw
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
47.
EFFECT OF HEAVY BORON DOPING ON OXIDE PRECIPITATE GROWTH IN CZOCHRALSKI SILICON
机译:
重硼掺杂对Czochralski硅氧化物沉淀生长的影响
作者:
E.Asaya
;
G.A.Rozgonyi
;
H.Tsuya
;
K.Sueoka
;
M.Hourai
;
H.Horie
;
E.Asayama
;
T.Ono
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
|
1998年
48.
FUTURE SILICON SUBSTRATE FOR OPTO-ELECTRONIC COUPLED INTEGRATED CIRCUIT DEVICES
机译:
用于光电耦合集成电路器件的未来硅衬底
作者:
Suzuka Nishimura
;
Naoya Sibusawa
;
Kazutaka Terashima
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
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1998年
49.
AN ULTRASENSITIVE METHOD TO REVEAL DEFECTS THAT DEGRADE THE LOCALIZED RECOMBINATION LIFETIME OF THE NEAR SURFACE REGION OF BULK SI AND THIN EPILAYERS
机译:
一种揭示缺陷的超敏感方法,降低了散装Si和薄脱落剂的近表面区域的局部重组寿命
作者:
F. C
;
T. Yoshida
;
Y. Kitagawara
;
X. Wang
;
F. Chin
;
V. Higgs
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
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1998年
50.
MODELING AND EXPERIMENTAL VERIFICATION OF GETTERING MECHANISMS
机译:
吸气机制的建模与实验验证
作者:
M.Ape
;
A.Zozime
;
W.Schroeter
;
E.Spiecker
;
H.Ewe
;
A.Doeller
;
M.Apel
;
M.Seibt
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
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1998年
51.
BORON-ENHANCED-DIFFUSION OF BORON FROM ULTRA-LOW-ENERGY BORON IMPLANTATION
机译:
硼增强 - 来自超低能量硼植入的硼的扩散
作者:
Yu. E. Erokhin
;
T. E. Haynes
;
D. C. Jacobson
;
S. B. Herner
;
L. Pelaz
;
H.-J. Gossmann
;
D. J. Eaglesham
;
Aditya Agarwal
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
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1998年
52.
HIGH GROWTH RATE OF SILICON CARBIDE ON SILICON (111) SUBSTRATES BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING TRIMETHYLSILANE
机译:
用三甲基硅烷化学气相沉积通过化学气相沉积在硅(111)基材上的高生长速率
作者:
A
;
M. Loboda
;
A. J. Steckl
;
S. Madapura
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
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1998年
53.
EVALUATION OF MICROSCOPIC LEAKAGE CURRENT INDUCED BY BULK MICRO DEFECTS
机译:
散装微缺损诱导的微观漏电流评价
作者:
T.
;
H. Fujimori
;
M. Iwase
;
T. Ihnuma
;
Y. Ushiku
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
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1998年
54.
POINT DEFECT INJECTION IN SILICON DURING THIN OXIDE FORMATION
机译:
薄氧化物形成期间硅中的点缺陷注射
作者:
D. Tsoukalas
;
A. Claverie
;
C. Tsamis
;
M. Omri
;
D. Skarlatos
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
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1998年
55.
HIGH ENERGY IMPLANTATION OF BORON: REDUCTION OF THREADING DISLOCATION DENSITY IN THE 'BAD' DOSE REGION
机译:
硼的高能量植入:“坏”剂量区域中的螺纹位错密度降低
作者:
A. Agarwal
;
D. C. Jacobson
;
D. J. Eaglesham
;
K. K. Bourdelle
会议名称:
《International symposium on silicon materials science and technology》
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1998年
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