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第八届全国LED产业研讨与学术会议

召开年：2002
召开地：青岛
出版时间： 2002-09-01

主办单位：中国物理学会

会议文集：第八届全国LED产业研讨与学术会议论文集

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1.白光发光二极管的制备技术及主要参数
- 蒋大鹏;赵成久;侯凤勤;刘学彦;楮明辉;申德振;范希武
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文利用发射波长为470nm的蓝色发光二极管作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光发学二极管,荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y<,3>Al<,5>O<,1>2:C<,e><'3+>(YAG).所研制的白光LED在工作电流为15mA条件下,法向光强为2890mcd;色坐标为X=0.29、Y=0.33;显色指数为77;流明效率为14.9Lm/W.
2.硅衬底上GaN基LED的进展
- 陆大成
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：在硅衬底上外延GaN,提供了一种新的技术平台,能够加速氮化镓在光电子和微电子方面的应用进一步扩大.本文介绍在硅衬底上GaN基发光二极管研制方面的进展.
3.台湾化合物半导体产业2001/2002年趋势
- 石修
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文阐述了台湾光电产业发展现状以及LED在光电产业成长机制中的角色,对台湾LED产业生产销售、日本化合物半导体晶片供应做了统计分析,并结合化合物半导体产业两岸合作探讨台湾该产业发展趋势.
4.有机发光研究进展
- 刘式墉;赵毅;李峰
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：有机电致发光技术作为新一代显示技术具有超薄、自发光、视角宽、响应快、发光效率高温度适应好、生产工艺简单、成本低等特点,应用广泛.本文从有机发光材料和有机器件效率方面阐述了有机发光技术研究进展,并介绍了显示器件制作技术.
5.功率型LED的进展
- 张万生;布良基
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文从新型芯片结构设计以及封装工艺两方面对如何提高可见光功率型LED器件的取光效率和光电转换效率的问题进行了详细讨论.
6.半导体发光材料与器件的历史、现状和展望
- 方志烈
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文回顾了半导体发光材料与器件(LED)的发展历史,分析了LED目前发展现状,针对照明光源应用对LED的未来发展趋势做了展望.
- 半导体发光材料;
- LED;
7.GaN基蓝光LED管芯的制作工艺技术研究
- 韩彦军;薛松;吴桐;郭文平;罗毅
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：利用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.在此基础上,通过优化p电极、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和n电极制作中的各项工艺参数,制作出了在正向电流为20mA时,工作电压为3.4-3.5V左右,峰值波长为470nm,输出功率为1.5mW的高亮度的蓝光LED.
8.氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究
- 张书明;杨辉;段俐宏;王海;李秉成;王胜国;吴启保;章裕中;胡德进;张双益
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上市销售.
9.LED机场信号灯
- 方志烈
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文介绍了机场信号灯的分类,重点阐述了LED作为机场信号灯新光源,而研制的信号灯,实际应用表明LED光源信号灯能够克服白炽灯和卤钨灯寿命短,易损坏、供电功率过大点亮时间短等缺点.
10.白光LED器件可靠性初探
- 林秀华;布良基;李绪锋
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：随着氮化物外延生长技术的进步、器材工艺研究的深入,白光LED在光效与光电性能方面不断改善,应用领域正逐步拓展.长期工作引起光衰、器件寿命与可靠性问题日益突出.本文着重探讨了影响其可靠性的诸重要因素,提出了在照明上应用的亟待解决的办法.
11.采用国产ICP设备制作GaN台面
- 张万生;李云
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文给出了使用国产ICP设备制作GaN台面的实验结果,经过实验选定的工艺条件为:充气前真空度5×10<'-3>Pa;Ar流量60sccm;CCl<,2>F<,2>流量60sccm;ICP功率400W;RF功率100W;自偏压200V.在这样的条件下的刻蚀速度可达400nm/min,获得的GaN台面表面光亮、侧壁比较陡直,台面厚度大于0.7μm,并具有较好的重复性.采用国产ICPI设备可满足制作GaN LED芯片台面的要求,也可用于制作其它氮化物半导体电子器件.
12.用荧光粉转换方法制备纯绿色LED
- 赵成久;侯凤勤;刘学彦;蒋大鹏;申德振;范希武
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文对利用紫色LED的紫光作为激发源制作纯绿色LED的制备工艺-荧光粉转换方法做了介绍,实践表明该方法制备的绿色LED发光强度尽管不高,但发展空间较大.
13.白光LED小型固态光源研制
- 柴储芬
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：白光LED的研制倍受世人瞩目,本文介绍了白光LED固态光源的研制,对荧光粉蓝光LED优化匹配制成的白光LED的各项参数进行了测量和对比,同时,也对白光LED的有关性能作了探讨.
14.双基色电子显示屏设计研究
- 郭志友;范广涵;陈凯旋;熊燕南
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：介绍了双基色LED电子显示屏的原理和结构,从性能价格出发,设计和分析了显示屏技术和结构,利用直接扫描、模拟传送方式可以降低成本,提高性能.
15.初探LED光源在城市景观灯光中的应用
- 唐国庆;王国定
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文通过LED光源在城市景观灯光工程中的应用实践,探讨了用LED光源取代传统光源的实例与发展趋势,同时从工作的过程中,归纳出一些心得和体会和大家一起来研究.如何提高LED的应用水平,让LED光源在城市景观灯光中扮演主角?期待LED行业的同仁共同协商,共同攻关,共同赢得LED光源在城市景观灯光领域大放异彩的那一天.
16.发光二极管光谱参数测试方法的研究
- 金尚忠;王东辉;张在宣
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：影响发光二极管(LED)发光颜色的光谱参数有:峰值波长、带宽、主波长和质心波长,峰值波长和带宽可用分光光度法进行测量,精度达1nm,反映了LED发光的物理特性.主波长是在CIE色品图上,由该LED的色品坐标相对于等能白而得到,符合人眼对各种显示有LED发光的目视感觉,精度可达1nm.质心波长是LED的几何对称波长.用质心波长来估算LED主波长是一种方便简捷的方法.误差小于3nm.
17.LED正向电压随温度变化的实验研究
- 李炳乾;甘雄文;布良基;范广涵
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文分析了LED输入电压随温度变化的物理机理,建立了恒流驱动下,输入电压随温度的变化系数测试系统.对不同材料、不同发射波长的LED电压随温度变化系数进行了系统的实验研究.编写了最小二乘法程序,对实验数据进行了拟合,得到了不同发射波长的AlGaInP、InGaN材料LED的电压随温度变化系数,对超高亮度LED、功率型LED器件及系统的热工参数测量积累了的重要数据.
- LED;
- 性能测试;
- 电压;
- 温度;
18.LED信号灯二次光学设计
- 屠其非;陈捷;周伟;周太明
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：LED的应用范围日趋广泛,其相应的二次光学设计也越来越显出重要性.本文介绍了一种光学设计的思路和方法.
19.红外遥控接收放大器的抗干扰能力及应用研究
- 李玉江;姚飞闪
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：随着红外遥控接收放大器应用领域的不断扩展,市场需求日益扩大,同时家电行业为降低产品成本,也对红外遥控接收放大器的性能尤其是在抗光、电、磁的干扰能力方面提出越来越高的要求.本文将根据试验对该产品的抗干扰能力、接收距离、驱动能力等作一分析探讨.
20.集成电路芯片在LED显示屏中的应用
- 陈听
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：视频显示的传统方法是采用离散的、小规模的集成电路技术.当系统要求的性能有了大规模地提高时(如从16级灰度提高到256级灰度),系统所使用的离散器和小规模集成电路的数量将大幅度增加,整个系统的可维护性很难保证.北京利亚德电子科技有限公司自行开发设计的Leyard Pro专用控制集成芯片和AL62705A恒流源驱动芯片解决了这一难题.
21.LED显示屏的应用及产业与市场发展
- 关积珍
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文总结了LED显示屏的主要应用领域,介绍了我国LED显示屏产业状况和市场发展,展望了LED显示屏的发展趋势.
22.超高亮度InGaN蓝、白光LED之碳化硅SiC与蓝宝石Al<,2>O<,3>底衬材料的探讨
- 罗超帆
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文简要介绍了超高亮度InGaN蓝、白光LED发展及LED发光条件,重点从晶格匹配、材质导热性、封装散热、可靠性、抗ESD静电、封装结构等方面对LED衬底材料SiC与蓝宝石Al<,2>O<,3>做了探讨.
23.GaN基高亮度蓝光LED材料的生长研究
- 郭文平;胡卉;韩彦军;孙长征;罗毅
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：利用金属有机化合物气相外延(MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.X射线衍射(XRD)测量数据和模拟结果之间非常好的一致性证实了MQW层的高的晶体质量,光荧光谱的半高全宽(FWHM)只有124meV.通过优化搀杂比,获得了高达7'1017cm-3的空穴浓度.
24.AlGaInP四元系发光器件进展
- 黄柏标
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文简要分析了AlGaInP四元系材料的MOCVD外延、高亮度发光二极管(HB-LED)、650-700nm可见光激光二极管(LD)、微腔共振半导体发光二极管(RCLED)、超辐射发光二极管(SLD)、光子循环半导体发光二极管(PRS-LED)、近红外激光二极管的进展和发展趋势.针对我国研发、产业化现状,提出了创立自主知识产权的对策.
25.高亮度高可靠度胶质粘着型(Gluebonding,GB)AlGaInP LED
- 杨光能;张智松;陈泽澎;黄国欣
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本论文中采用一不吸光的透明粘接层来黏接一具吸光GaAs基板的AlGaInP LED与一透明基板Sapphire,接着将吸光的GaAs基板除去,来形成一具透明基板AlGaInP LED,由于所使用的胶质粘着技术是在低温下进行,不至破坏原LED磊晶结构而影响其特性,同时所使用的透明基板Sapphire具备相当好的穿透性,因此大幅提升LED的发光效率.我们所做成的GBAlGaInPLED比传统GaAs吸光基板AlGaInPLED发光效率提升将近2倍,在20mA的操作电流下可达40lm/w的发光效率,操作电压在2.1V左右.同时在70mA与850C1000h连续操作下,其输出光强度与操作电压的变化率也都维持相当稳定的.
26.蓝光发光二极管在中国产业化的机遇与挑战
- 周均铭;陈弘;贾海强
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：第三代半导体氮化镓化合物半导体已成为蓝光发光二极管的主流材料,国际上的产业化已成规模,国内也有多家处于中试阶段,由于氮化镓基材料中有如此多的问题没有解决,材料制备设备,器件工艺也极需改进及优化,这既给了中国科研人员及工程技术人员一个机遇,也使他们面临着严峻的挑战.
27.不同Mg掺杂浓度Mg:GaN材料的特性研究
- 周晓滢;郭文平;胡卉;罗毅
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：对利用LP-MOCVD方法生长出的不同Mg掺杂浓度的Mg:GaN样品薄膜的发光特性进行研究.测试手段为光致荧光(PL)和喇曼散射光谱(RS).结果表明:随着Mg掺杂浓度的提高,Mg:GaN材料补偿增大,光致荧光谱红移;材料中的应力先随着掺杂浓度增大而增大,随后因为产生过多的缺陷应力被释放.
28.GaN/蓝宝石LED芯片切割技术的发展
- 李明昆
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：超高亮度GaN/蓝宝石LED用途广泛,包括室内外彩色显示、交通信号指示、白色照明光源等,但其生产规模受芯片切割技术的限制,本文介绍了GaN/蓝宝石LED芯片切割技术的最新进展.
29.GaN基外延片中的硅扩散
- 方文卿;李述体;刘和初;江风益
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文采用适合宽禁带材料的ECV设备测量了自己在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.在此基础上,通过引入主扩散模型,对结果进行了高斯拟合,得出了硅在高温时(1030℃)在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅向量子阱及p层的扩散宽度.
30.片式LED制造工艺简介及性能评价
- 李友民;李绪锋
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：片式LED是一种新型表面贴装式半导体发光器件,具有体积小、散射角大、发光均匀性好、可靠性高等优点,发光颜色包括白光在内的各种颜色,可满足表面贴装结构的各种电子产品的需要.本文简单介绍了片式LED制造工艺,对片式LED的光电特性作了测试,并通过一系列试验,对片式LED可靠性进行评价.
31.LED户外全彩屏的MTBF和可靠性
- 陆荣庆
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文介绍了LED户外全彩屏的平均无故障时间(MTBF)及可靠性,着重讨论了提高全彩屏可靠性的几个问题.提出建立合理的可靠性模型,加强可靠性试验,建立故障分析与纠正措施系统和确定平均修复时间(MTTR).
32.一种二维成核的动力学模式探讨
- 王浩;廖常俊;范广涵
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：如何获得界面平整的外延层,是个很值得讨论的问题,让材料生长以二维成核方式进行.是一个有前途的方法.本文主要讨论了二维成核条件下,晶体生长的一种动力学解释.
33.n型接触层厚度对InGaN LED影响
- J.Ou;F.C.Lee;S.K.Lai;M.J.Jou and B.J.Lee
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：我们已针对不同n型GaN接触层厚度之InGaN蓝光LED作一研究.我们发现较薄的n型GaN接触层会导致薄膜中有较多的晶格缺陷存在,此种缺陷造成之蚀刻坑洞,在ICP处理后之n-GaN表面明显可见.并且此种缺陷会使得LED在逆向偏压下较早崩溃,且对LED之发光效率有极大之影响.此外,我们亦发现较厚的n型GaN接触层对于LED侧向光之引出,亦有所帮助.
34.GaN基蓝、白光LED的老化特性
- 刘学彦;赵成久;侯凤勤;蒋大鹏;申德振;范希武
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文研究对比了GaN基相同芯片制备的蓝光和白光LED的老化特性,同时也研究对比了Al<,2>O<,3>和SiC衬底GaN基蓝光LED老化特性.GaN基相同芯片的蓝光LED和白光LED的光衰相差不是很明显,这说明荧光粉本身的光衰明显比蓝光芯片的光衰小得多,研究发现台湾生产的Al<,2>O<,3>衬底蓝光LED的寿命比SiC衬底蓝光LED的寿命短得多,我们分析其原因主要是由于Al<,2>O<,3>衬底蓝光LED芯片的结构导致了在GaN缓冲层中的电流密度过大造成的.
35.不同色温白光LED光谱特性研究
- 侯凤勤;赵成久;刘学彦;楮明辉;蒋大鹏;申德振;范希武
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：色温是照明领域的一个重要技术指标,本文利用荧光粉转换的方法制备了不同色温的白光LED.本文主要采用荧光粉转换的方法制备白光LED,以蓝色LED的蓝色(470nm)发光为基础光源,用蓝色LED的发光激发荧光粉,蓝色发光二极管发出的光部分透过荧光粉发射出来,部分激发荧光粉,使荧光粉发出峰值为570nm的黄绿色光,透出的蓝色发光与荧光粉发出的黄绿色光组成白光.
36.InGaAlP LED发光特性浅析
- 郑智斌;彭万华
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文简要介绍不同InGaAlP LED芯片结构的发光特点及封装后的发光特性,并在一定的环氧封装工艺条件下讨论采用不同的反射式支架结构对InGaAlP LED芯片发光特性的影响.
37.AlGaInP四元系超高亮LED外延材料生产技术研究
- 路红喜;刘惠生;李志强;李艾功
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：采用MOCVD工艺生产AlGaInP四元系超高亮LED外延材料,成功解决了外延片的均匀性、复重性、稳定性、成品率等影响批量生产的技术关键,实现稳定连续生产.
38.电化学C-V测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度的分布
- 文尚胜
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液,获得了速度快、重复性好、数据准确可靠的测试效果.
39.SMD器件在LED显示屏单元板中的应用
- 宗慧芳
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：针对LED显示屏单元板驱动电路采用通孔器件存在的一些问题,提出了采用SMD器件的解决方法,对两种封装形式的器件作了几方面的对比,并介绍了SMD器件在LED显示屏单元板中的具体应用.
40.LED光色电综合性能分析测试原理与仪器
- 潘建根
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：光色电综合性能参数是LED的主要技术指标,LED光色电综合性能的准确快速测量,对LED研发、制造和品管具有重要意义.本文介绍了LED光色电综合性能分析测试原理和仪器的主要技术指标,仪器满足CIE推荐标准条件,并大大高于GD/T1-2001《半导体发光二极管测试方法(试行)》行业标准要求.
41.大面积显示器封装工艺探讨
- 李玉江;刘淑妹
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：数码显示器因其性能佳、美观、使用寿命长、成本低等特性已越来越广泛应用于各类家电产品,逐步取代LCD、VFD等显示器件,其尺寸也越来越大.本文将从提高成品率和可靠性方面对封装工艺和环氧选用进行分析论证.
42.超高亮度LED测量
- 鲍超
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：从原理上讨论了高亮度LED测试不确定性大的问题,介绍了CIE标准测试条件A和B,设计了平均LED强度测试仪,对今后的工作提出了自己的意见.
43.LED光柱的模拟条图在仪表行业中的应用及问题
- 牟小丽
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文探讨了LED光柱的模拟条图在仪表行业中的应用,主要阐述了LED光柱模拟条图代替传统仪表指针的优势以及LED光柱显示器种类及制作要求,并分析了LED光柱显示器质量存在的几个问题.
44.半导体光敏双向晶闸管输出型光耦合器的设计与工艺
- 吴金虎;李小红;彭万华
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文介绍了半导体光敏双向晶闸管输出型光耦合器的工作原理与主要性能,论述设计要点及工艺控制要点,试制出性能达到国外同类产品水平的样品,并批量投产.
45.影响光电耦合器可靠性的工艺因素及其对策
- 王卫东
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文介绍光电耦合器结构和特点,重点分析了生产中影响可靠性的工艺因素并提出了对策和改进措施.
46.用发光二极管制造交通疏导灯
- 嵇晨
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文介绍了适合于工程车辆使用的交通疏导灯的研制,阐述了交通疏导灯光源的要求,以及用作交通疏导灯光源的车载LED特性.
47.GaAs、GaN的快速扫描光荧光谱表征技术研究
- 李光平;汝琼娜;李静;何秀坤;董彦辉;陈祖祥
- 《第八届全国LED产业研讨与学术会议》 | 2002年
摘要：本文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征砷化镓(AgAs)和氮化镓(GaN)材料中的应用,实验结果表明材料晶片的PL Mapping特性与材料制备工艺和器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的材料时,除了常规参数外,PL Mapping也是表征材料质量的一个重要参数.