GaN基蓝、白光LED的老化特性

摘要

本文研究对比了GaN基相同芯片制备的蓝光和白光LED的老化特性,同时也研究对比了Al<,2>O<,3>和SiC衬底GaN基蓝光LED老化特性.GaN基相同芯片的蓝光LED和白光LED的光衰相差不是很明显,这说明荧光粉本身的光衰明显比蓝光芯片的光衰小得多,研究发现台湾生产的Al<,2>O<,3>衬底蓝光LED的寿命比SiC衬底蓝光LED的寿命短得多,我们分析其原因主要是由于Al<,2>O<,3>衬底蓝光LED芯片的结构导致了在GaN缓冲层中的电流密度过大造成的.