GaN基蓝光LED管芯的制作工艺技术研究

摘要

利用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.在此基础上,通过优化p电极、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和n电极制作中的各项工艺参数,制作出了在正向电流为20mA时,工作电压为3.4-3.5V左右,峰值波长为470nm,输出功率为1.5mW的高亮度的蓝光LED.