高效GaN基蓝光LED的载流子输运和复合机制研究

目录

摘要

第一章绪论

1．1发光二极管的研究历史

1．2．1 LED的发光原理

1．2．2 LED器件性能指标

1．2．3 LED外延结构的光电性能测试

1．3 GaN基LED外延材料基础

1．3．1 A1GaInN材料特性

1．3．2外延层材料生长基础

1．4 LED的效率衰减和降低途径

1．4．1俄歇复合

1．4．2量子限制斯塔克效应(QCSE)

1．4．3空穴注入和电子泄露

1．4．4载流子均匀性

小结

1．5本论文的主要内容

参考文献

第二章模拟结构参数和生长工艺

2．1 LED模拟计算的理论基础

2．1．1载流子分布

2．1．2电势分布

2．1．3载流子的输运

2．1．4载流子的复合计算

2．2 LED生长工艺和结构参数

2．2．1传统LED的生长工艺

2．2．2模拟LED的器件结构参数

2．3本章小结

参考文献

第三章低In组分势垒LED载流子输运复合机制研究

3．1前言

3．2器件结构设计

3．3模拟结果和分析

3．3．1内量子效率和输出功率表

3．3．2载流子的输运和复合分析

3．3．3能带分布和极化场分布分析

3．4本章小结

参考文献

第四章In组分渐变势垒LED的载流子输运复合机制研究

4．1前言

4．2器件结构设计

4．3模拟结果和分析

4．3．1内量子效率和输出功率表征

4．3．2能带分布和极化场分布分析

4．3．3载流子的输运和复合分析

4．4本章小结

参考文献

第五章GaN基蓝绿光LED的波长稳定性与外延层材料的MOCVD工艺参数研究

5．2．1 U／N GaN-T生长温度对波长稳定性的影响

5．2．2有源区N侧的Si掺杂对波长稳定性的影响

5．2．3 LTW厚度对波长稳定性的影响

5．2．4 G-well的厚度对波长稳定性影响

5．3本章小结

参考文献

第六章结论与展望

6．1本论文的研究成果

6．2展望

致谢

研究生期间发表的论文

声明