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复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片

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摘要

本发明是一种GaN基蓝光LED外延片的生长技术，由于采用了InGaN/(InGaN，AlGaN)复合量子阱作为有源层及AlN、GaN双缓冲层生长法，制备的外延片具有高亮度及高晶体质量的优点。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-09-01

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20050420 申请日:20030416

专利权的终止
2008-02-13

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080104 申请日:20030416

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
2005-04-20

授权

授权
2004-02-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-12-10

公开

公开

1. 复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片 [P] . 中国专利： CN1461060A . 2003-12-10
2. 复合量子阱结构GaN基蓝光LED外延片生长方法 [P] . 中国专利： CN1198340C . 2005.04.20
3. GaN SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING BUFFER LAYER WITH ENHANCED STRUCTURE AND ACTIVE LAYER WITH QUANTUM WELL STRUCTURE FOR REDUCING CRYSTAL DEFECTS AND ACQUIRING HIGH BRIGHTNESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR20050000846A . 2005-01-06

机译：具有增强结构的缓冲层和具有量子阱结构的有源层的GaN半导体发光器件，用于减少晶体缺陷并获得高亮度，并且其制造方法
4. LIGHT EMITTING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL HETERO STRUCTURE TO IMPROVE BRIGHTNESS AND LIGHT EMISSION OUTPUT [P] . 韩国专利： KR100445524B1 . 2004-08-21

机译：具有双异质结构的发光GaN基复合半导体器件，可提高亮度和发光输出
5. LIGHT EMITTING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL HETERO STRUCTURE TO IMPROVE BRIGHTNESS AND LIGHT EMISSION OUTPUT [P] . 韩国专利： KR100445524B1 . 2004-08-12

机译：具有双异质结构的发光GaN基复合半导体器件，可提高亮度和发光输出