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郑晓思; 符斯列;
华南师范大学物理与电信工程学院 广东广州510006;
C-V测量法; GaN基蓝光LED; 多量子阱;
机译:3C-SiC / Si衬底上的InGaN / GaN多量子阱蓝光LED
机译:金属有机气相外延法在非极性a面GaN模板上生长的GalnN / GaN多量子阱的光学和结构表征
机译:使用金属有机化学气相沉积法在单根n-GaN纳米线的m和r面上生长的InGaN / GaN多量子阱异质结构的不同特性
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:使用在空心n-GaN纳米线上形成的非极性同轴InGaN / GaN多量子阱结构产生氢
机译:热导纳光谱法的IngaN / GaN多量子阱结构的电气表征
机译:mOs结构中电子现象的研究:脉冲C-V法
机译:GaN自持基体,GaN自持基体和蓝光LED的制造方法
机译:用于生长GaN基半导体晶体的多晶铝氮化物材料以及利用该基体制造GaN基半导体的方法
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