C-V法测量GaN基蓝光LED的PN结特性

符斯列; 王春安; 蒋联娇; 秦盈星; 吴先球

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C-V法测量GaN基蓝光LED的PN结特性

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应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的CV曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的认识和理解,还可以让学生了解GaN新型半导体材料的相关知识.

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来源
《物理实验》 |2017年第5期|1-6|共6页
作者
符斯列; 王春安; 蒋联娇; 秦盈星; 吴先球;
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作者单位

华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室,广东广州510006;

广东技术师范学院电子与信息工程学院,广东广州510006;

华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室,广东广州510006;

华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室,广东广州510006;

华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室,广东广州510006;

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正文语种 chi
中图分类 P-N结;
关键词
C-V法; GaN基蓝光二极管; PN结特性; 杂质浓度分布;

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