氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用

摘要

本发明公开了一种氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用。所述方法包括：对掺有1％～3％In的氮化镓材料进行Mg离子注入和退火激活，从而获得p型掺杂的氮化镓材料。本发明实施例提供的一种基于Mg离子注入与退火激活实现氮化镓p型掺杂的方法，在外延生长氮化镓时掺入少量In组分并不会改变GaN的本身固有属性，外延生长的氮化镓材料整体的质量较高，其本征浓度与GaN的本征浓度接近，从而使在进行退火激活时不需苛刻的高温、高压条件，从而降低了工艺的危险性。