机译:金属有机气相外延法在非极性a面GaN模板上生长的GalnN / GaN多量子阱的光学和结构表征
Meijo Univ, Nagoya, Aichi 4688502, Japan;
Koito Mfg Co Ltd, Shizuoka 4248764, Japan;
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Meijo Univ, Nagoya, Aichi 4688502, Japan;
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Meijo Univ, Nagoya, Aichi 4688502, Japan;
Meijo Univ, Nagoya, Aichi 4688502, Japan|Nagoya Univ, Akasaki Res Ctr, Nagoya, Aichi 4648601, Japan;
机译:Galnn / GaN多量子孔的光学和结构表征在非极性A平面GaN模板上生长的金属蒸汽阶段外延
机译:金属有机气相外延在GaN-AIN波导结构上生长的GaN / AIN多量子阱
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机译:金属有机化学气相沉积在(1122)刻面GaN /蓝宝石模板上生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管的结构和光学性质
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:金属有机汽相外延生长在a面蓝宝石上的GaN薄膜的面内应变各向异性和晶格参数