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硅衬底上GaN基LED的进展

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在硅衬底上外延GaN,提供了一种新的技术平台,能够加速氮化镓在光电子和微电子方面的应用进一步扩大.本文介绍在硅衬底上GaN基发光二极管研制方面的进展.

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来源
《第八届全国LED产业研讨与学术会议》|2002年|54-56|共3页
会议地点青岛
作者
陆大成;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;TN304.23;
关键词
硅衬底; GaN外延生长; LED; 制作工艺;

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