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【2h】

Nanoscale Spatial Phase Modulation of GaN on a V-Grooved Si Substrate—Cubic Phase GaN on Si(001) for Monolithic Integration

机译：si（001）上V型沟槽硅衬底 - 立方相GaN上GaN的纳米级空间相位调制，用于单片集成

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S. C. Lee; B. Pattada; Stephen D. Hersee; Ying-bing Jiang; S. R. J. Brueck;
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年度 2010
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