一种硅衬底的GaN基LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅衬底的GaN基LED芯片制作方法，包括：提供外延结构、硅结构和弯曲调整结构，其中，所述外延结构包括蓝宝石衬底和依次设于所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、有源层、P型GaN层和第一键合层，所述硅结构包括硅衬底、设于所述硅衬底表面的第二键合层和设于所述硅衬底背面第一粘接层，所述弯曲调整结构包括弯曲调整层和设于所述弯曲调整层表面的第二粘接层，通过所述第一键合层和第二键合层，所述第一粘接层和第二粘接层，将所述外延结构、硅结构和弯曲调整结构连接成一体，形成LED晶圆，工艺简单，有效地进行了硅衬底转移；此外，通过设置所述弯曲调整层，有效降低LED晶圆的弯曲度，提高激光剥离衬底的良率。