计算机辅助LDMOS器件性能参数分析

摘要

对横向双扩散ＭＯＳ器件的沟道夹断，电流饱和以及输出特性做出理论解释。用一组解析方程式描述横向双扩散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）器件参数之间的关系。用计算机对方程求解，得到了栅电压，漏电压和漏电流之间的关系曲线以及亚开启特性，漏端动态负阻现象等。同时给出了不同漏电压下，沟道内部的电位分布、电场分布，各点上的漂移电流和扩散电流分布。对饱和机理进行了计算分析，提出了初始夹断电压和由夹断点电场决定的终点夹断电压，给出了一组计算曲线。对不同漏电压下沟道内部参数分布及其变化进行了计算，对ＬＤＭＯＳ器件负阻现象和其它性能进行了解释。