一种阶梯型STI辅助式场板的LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种阶梯型STI辅助式场板的LDMOS器件及其制备方法，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型阱区、第二导电类型漂移区、第二导电类型源区、第一导电类型重掺杂区和隔离介质区，所述隔离介质区为中间深、两侧浅的结构；还包括第二导电类型漏区、隔离栅介质层、栅电极、钝化层、源极金属电极和漏极金属电极。本发明通过利用多层台阶式STI技术，通过一次成型的栅电极场板达到多层场板的电场优化效果，在提升器件阻断能力的同时利用正向导通时的栅控电荷辅助导电，进一步降低器件的导通电阻。