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周杰; 陈利; 郭东辉;
厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;
厦门大学,电子工程系,福建,厦门,361005;
LDMOS; STI工艺; 高压器件;
机译:具有高能量注入埋层的高压MOS器件-低压CMOS工艺可与高压MOS器件媲美
机译:工艺温度对采用TDMAT前驱体的等离子增强ALD TiN金属栅极的ALD HfO2 MOS器件功函数调制的影响
机译:标准CMOS工艺中与STI兼容的高压NMOS和PMOS器件的设计与表征
机译:高压LDMOS晶体管基于可扩展的基于表面电势的紧凑模型
机译:基于Starlinger Decon技术的 EstPak Plastik工艺的安全性评估该工艺用于将消费后的PET回收成食品接触材料
机译:基于STI工艺的高压LDMOS器件设计与优化
机译:LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目(FY99)
机译:采用深亚微米CMOS工艺构建的高压N沟道LDMOS器件
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