基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺

摘要

本发明公开了一种基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺，高压LDMOS器件包括衬底，衬底为N型衬底，N型衬底上为P型埋层，P型埋层上为N型薄外延层，N阱位于N型薄外延层的一侧，N阱靠近多晶硅的一侧为被场氧化层覆盖的P型轻掺杂顶层，另一侧为N型注入层，N型注入层向上延伸至漏极，P阱位于N型薄外延层的另一侧，P阱的中上部为p型场区，p型场区上有短接N型注入层和短接P型注入层，短接N型注入层和短接P型注入层的连接处向上延伸至源极，N阱和P阱的连接处有栅极氧化层，栅极氧化层上为多晶硅，多晶硅外接栅极。本发明所述LDMOS器件的耐压区长度较小，能在保证击穿电压不变的条件下大幅度减少器件的导通电阻。