基于0.18μm CMOS工艺实现无EPI新型LDMOS器件

摘要

应对电源管理市场对18V高压应用的需求,研制了一种无EPI、在一般Si衬底片上的、基于0.18μ m CMOS工艺技术的集成横向扩散,金属一氧化物一半导体场效应晶体管(LDMOS).运用Sentaurus器件仿真模拟软件完成了18 V LDMOS的设计与优化,并结合实际的流片测试结果,对器件的直流特性、击穿电压、导通电阻进行了表征和分析.设计研制成的LDMOS不仅尺寸小、结构简单,而且可以和低压器件自主隔离集成在一起,器件性能优良且性能稳定,可以满足电源管理芯片对耐高压的基本需求.