机译:使用0.18 $ mu {rm m} $ CMOS工艺的20至24 GHz $ + $ 16.8 dBm全集成功率放大器
CMOS integrated circuits; microwave power amplifiers; CMOS process; efficiency 10.7 percent; frequency 20 GHz to 24 GHz; ful integrated power amplifier; gain 15 dB; on-chip input matching; on-chip output matching; size 0.18 mum; 24 GHz; CMOS; fully integrated; power;
机译:一个采用0.18 $ mu {rm m} $共源MOSFET的27 GHz,14 dBm CMOS功率放大器
机译:采用0.18μmCMOS的24GHz,+ 14.5dBm完全集成功率放大器
机译:具有集成二极管线性化器的0.25- / spl mu / m 20-dBm 2.4GHz CMOS功率放大器
机译:采用0.18 / spl mu / m CMOS的24GHz,+ 14.5dBm全集成功率放大器
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:一块0.18µm CMOS的24GHz,+ 14.5dBm全集成功率放大器