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European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)
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1.
Analysis of Junction Leakage in Advanced Germanium P+ Junctions
机译:
高级锗P + / n结的结泄漏分析
作者:
G. Eneman
;
O. Sicart i Casain
;
E. Simoen
;
D. P. Brunco
;
B. De Jaeger
;
A. Satta
;
G. Nicholas
;
C. Claeys
;
M. Meuris
;
M. M. Heyns
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
2.
Monte Carlo Study of Apparent Mobility Reduction in Nano-MOSFETs
机译:
蒙特卡洛研究纳米MOSFET的表观迁移率降低
作者:
K. Huet
;
J. Saint-Martin
;
A. Bourael
;
S. Galdin-Retailleau
;
P. Dollfus
;
G. Ghibaudo
;
M. Mouis
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
3.
Effects of Shear Strain on the Conduction Band in Silicon: An Efficient Two-Band k p Theory
机译:
剪切应变对硅导带的影响:高效的两频带k p理论
作者:
Viktor Sverdlov
;
Enzo Ungersboeck
;
Hans Kosina
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
4.
Modeling of hole inversion layer mobility in unstrained and uniaxially strained Si on arbitrarily oriented substrates
机译:
任意取向衬底上未应变和单轴应变Si中空穴反转层迁移率的建模
作者:
A. T. Pham
;
C. Jungemann
;
B. Meinerzhagen
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
5.
Characterization and Modeling of long term retention in SONOS Non Volatile Memories
机译:
SONOS非易失性存储器中长期保留的表征和建模
作者:
A. Arreghini
;
N. Akil
;
F. Driussi
;
D. Esseni
;
L. Selmi
;
M.J. van Duuren
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
6.
Theoretical Analysis of XtreMOS~(TM) Power Transistors
机译:
XtreMOS〜(TM)功率晶体管的理论分析
作者:
J. Roig
;
B. Desoete
;
P. Moens
;
M. Tack
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
7.
Impact of Lateral Non-uniform doping and hot carrier degradation on Capacitance behavior of High Voltage MOSFETs
机译:
横向非均匀掺杂和热载流子退化对高压MOSFET电容行为的影响
作者:
Yogesh Singh Chauhan
;
Renaud Gillont
;
Michel Declercq
;
Adrian Mihai Ionescu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
8.
Electrothermal Tuning and SNR of Nanoelectromechanical Resonators
机译:
纳米机电谐振器的电热调谐和SNR
作者:
Seong Chan Jun
;
C. W. Baik
;
S. I. Kim
;
J. M. Kim
;
H. Jin Kim
;
X.M.H. Huang
;
J. Hone
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
9.
A High-Sensitive Pd/InGaP Transistor Hydrogen Sensor
机译:
高灵敏度的Pd / InGaP晶体管氢传感器
作者:
Chung-Yeh Wu
;
Chin-Tien Lin
;
Yen-I Chou
;
Chieng-Chi Tung
;
Wen-Chau Liu
;
Huey-Ing Chen
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
10.
On a Computationally Efficient Approach to Boron-Interstitial Clustering
机译:
硼间隙聚类的一种计算有效方法
作者:
Johann Schermer
;
Peter Pichler
;
Christoph Zechner
;
Wilfried Lerch
;
Silke Paul
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
11.
Intermediate Frequency Lamb Wave Coupled Resonator Filters for RF Receiver Architectures
机译:
用于射频接收器架构的中频兰姆波耦合谐振滤波器
作者:
M. Desvergne
;
E. Defaye
;
D. Wolozan
;
M. Aied
;
P. Vincent
;
A. Volatier
;
Y. Deval
;
J.-B. Begueret
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
12.
Degradation of Spectral Response and Dark Current of CMOS Image Sensors in Deep-Submicron Technology due to γ-Irradiation
机译:
γ辐照导致深亚微米技术中CMOS图像传感器的光谱响应和暗电流下降
作者:
Padmakumar R. Rao
;
Xinyang Wang
;
Albert J. P. Theuwissen
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
13.
Anisotropy of Electron Mobility in Arbitrarily Oriented FinFETs
机译:
任意取向FinFET中电子迁移率的各向异性
作者:
Francisco Gdmiz
;
Luca Donetti
;
Noel Rodriguez
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
14.
Fabrication, Characterization and Modeling of Strained SOI MOSFETs with Very Large Effective Mobility
机译:
有效迁移率非常高的应变SOI MOSFET的制造,表征和建模
作者:
F.Driussi
;
D.Esseni
;
L.Selmi
;
M. Schmidt
;
M.C. Lemme
;
H. Kurz
;
D. Buca
;
S. Mantl
;
M. Luysberg
;
R. Loo
;
D. Nguyen
;
M. Reiche
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
15.
Lateral-Extended (LatEx.) Active for Improvement of Data Retention Time for Sub 60nm DRAM Era
机译:
横向扩展(LatEx。)有效缩短60nm以下DRAM时代的数据保留时间
作者:
Sungsam Lee
;
Jongchul Park
;
Kwangwoo Lee
;
Sungho Jang
;
Junho Lee
;
Hyunsook Byun
;
Ilgweon Kim
;
Yongjin Choi
;
Myoungseob Shim
;
Duheon Song
;
Joosung Park
;
Taewoo Lee
;
Dongho Shin
;
Gyoyoung Jin
;
Kinam Kim
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
16.
1T-Capacitorless Bulk Memory: Scalability and Signal Impact
机译:
1T无电容器大容量存储器:可扩展性和信号影响
作者:
Gerald Gouya
;
Pierre Malinge
;
Brad Garni
;
Franck Genevaux
;
Richard Ferrant
;
Sophie Puget
;
Valery Gravoulet
;
Olivier Bonnaud
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
17.
Atomistic modeling and physical comprehension of the effects of implant dose rate on boron activation in pMOSFET S/D
机译:
注入剂量率对pMOSFET S / D中硼激活的影响的原子建模和物理理解
作者:
J. Singer
;
F. Salvetti
;
V. Kaeppelin
;
M. Jaraiz
;
P. Castrillo
;
E. Rubio
;
F. Wacquant
;
N. Cagnat
;
A. Poncet
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
18.
Critique of High-Frequency Performance of Carbon Nanotube FETs
机译:
碳纳米管FET的高频性能的批判
作者:
David L. Pulfrey
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
19.
Phonon-scattering effects in CNT-FETs with different dimensions and dielectric materials
机译:
不同尺寸和介电材料的CNT-FET中的声子散射效应
作者:
Roberto Grassi
;
Stefano Poli
;
Susanna Reggiani
;
Antonio Gnudi
;
Massimo Rudan
;
Giorgio Baccarani
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
20.
Fully-Depleted SOI CMOS Technology using W_xN metal gate and HfSi_xO_yN_z high-k dielectric
机译:
使用W_xN金属栅极和HfSi_xO_yN_z高k电介质的全耗尽SOI CMOS技术
作者:
D. Aime
;
C. Fenouillet-Beranger
;
P. Perreau
;
S. Denorme
;
J. Coignus
;
A. Cros
;
D. Fleury
;
O. Faynot
;
A. Vandooren
;
R. Gassilloud
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F. Martin
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S. Barnola
;
T. Salvetat
;
G. Chabanne
;
L. Brevard
;
M. Aminpur
;
F. Leverd
;
R. Gwoziecki
;
F. Boeuf
;
C. Hobbs
;
A. Zaun
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
21.
Low Resistive Tungsten Dual Polymetal Gate Process for High Speed and High Density Memory Devices
机译:
用于高速和高密度存储设备的低电阻钨双多金属栅极工艺
作者:
Yong Soo Kim
;
Kwan-Yong Lim
;
Min-Gyu Sung
;
Soo-Hyun Kim
;
Hong-Seon Yang
;
Heung-Jae Cho
;
Se-Aug Jang
;
Jae-Geun Oh
;
Kwangok Kim
;
Young-Kyun Jung
;
Tae-Woo Jung
;
Choon-Hwan Kim
;
Doek-Won Lee
;
Won Kim
;
Young-Hoon Kim
;
Kang-Sik Choi
;
Tae-Kyung Oh
;
Yun-Taek Hwa
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
22.
Embedded FLASH memory thermal budget impact on core CMOS 90nm devices
机译:
嵌入式FLASH存储器的热预算对核心CMOS 90nm器件的影响
作者:
J-P Carrere
;
F. Larman
;
E. van der Vegt
;
M. Bocat
;
N. Auriac
;
N. Cherault
;
M. Charleux
;
K.Rochereau
;
M. Hopstaken
;
R. Pantel
;
D. Boter
;
D. Dormans
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
23.
Characterization of the pile-up of As at the SiO_2/Si interface
机译:
SiO_2 / Si界面处As堆积的表征
作者:
Christian Steen
;
Alberto Martinez-Limia
;
Peter Pichler
;
Heiner Ryssel
;
Lirong Pei
;
Gerd Duscher
;
Wolfgang Windl
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
24.
Mobility Issues in Double-Gate SOI MOSFETs: Characterization and Analysis
机译:
双栅极SOI MOSFET的迁移率问题:特性分析
作者:
N. Rodriguez
;
S. Cristoloveanu
;
L. Pham Nguyen
;
F. Gamiz
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
25.
A modified Constant Field Charge Pumping Method for sensitive Profiling of Near-Junction Charges
机译:
改进的恒场电荷泵浦方法,用于近结电荷的灵敏分析
作者:
Walter von Emden
;
Wolfgang Krautschneider
;
Georg Temped
;
Rainer Hagenbeck
;
M. Florian Beug
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
26.
High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy
机译:
高k氧化物/硅界面的特征在于电容频率谱
作者:
B. Raeissi
;
J. Piscator
;
O. Engstroem
;
S. Hall
;
O.Buiu
;
M. C. Lemme
;
H. D. B. Gottlob
;
P. K. Hurley
;
K. Cherkaoui
;
H.J. Osten
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
27.
Abrupt Current Switching due to Impact Ionization Effects in Ω-MOSFET on Low Doped Bulk Silicon
机译:
低掺杂块状硅上Ω-MOSFET中的碰撞电离效应导致的突然电流切换
作者:
Kirsten E. Moselund
;
Vincent Pott
;
Didier Bouvet
;
Adrian M. Ionescu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
28.
Gate-Ail-Around Si-Nanowire CMOS Inverter Logic Fabricated using Top-down Approach
机译:
使用自顶向下方法制造的栅极围绕铝纳米线CMOS反相器逻辑
作者:
K. D. Buddharaju
;
N. Singh
;
S. C. Rustagi
;
Selin H. G. Teo
;
L. Y. Wong
;
L. J. Tang
;
C. H. Tung
;
G. Q. Lo
;
N. Balasubramanian
;
D. L. Kwong
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
29.
Uniaxial Strained Silicon n-FETs on Silicon-Germanium-on-Insulator Substrates with an e-Si_(0.7)Ge_(0.3) Stress Transfer Layer and Source/Drain Stressors for performance enhancement
机译:
具有e-Si_(0.7)Ge_(0.3)应力转移层和源/漏应力源的绝缘子上硅锗衬底上的单轴应变n FET
作者:
Grace Huiqi Wang
;
Eng-Huat Toh
;
Yong-Lim Foo
;
S. Tripathy
;
S. Balakumar
;
Guo-Qiang Lo
;
Ganesh Samudra
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
30.
Trading off static power and dynamic performance in CMOS digital circuits: bulk versus double gate SOI MOSFETs
机译:
权衡CMOS数字电路中的静态功率和动态性能:体积与双栅极SOI MOSFET
作者:
M. Agostinelli
;
M. Alioto
;
D. Esseni
;
L. Selmi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
31.
Effective Control of Flat-band Voltage in HfO_2 Gate Dielectric with La_2O_3 Incorporation
机译:
掺La_2O_3的HfO_2栅介质的带内电压的有效控制。
作者:
K. Okamoto
;
M. Adachi
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
N. Sugii
;
K. Tsutsui
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
32.
Achieving Low V_T Ni-FUSI CMOS via Lanthanide Incorporation in the Gate Stack
机译:
通过在栅堆叠中引入镧系元素实现低V_T Ni-FUSI CMOS
作者:
A. Veloso
;
H. Y. Yu
;
A. Lauwers
;
S. Z. Chang
;
C. Adelmann
;
B. Onsia
;
M. Demand
;
S. Brus
;
C. Vrancken
;
R. Singanamalla
;
P. Lehnen
;
J. Kittl
;
T. Kauerauf
;
R. Vos
;
B. J. OSullivan
;
S. Van Elshocht
;
R. Mitsuhashi
;
G. Whittemore
;
K. M. Yin
;
M. Niwa
;
T. Hoffm
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
33.
Band Edge NMOS Work Function for Nickel Fully-Silicided (FUSI) Gate Obtained by the Insertion of Novel Y-, Tb-, and Yb-based Interlayers
机译:
通过插入新型基于Y,Tb和Yb的中间层获得的镍全硅化(FUSI)门的带边缘NMOS功函数
作者:
Andy Eu-Jin Lim
;
Rinus T. P. Lee
;
Xin Peng Wang
;
Wan Sik Hwang
;
Chih-Hang Tung
;
Doreen M. Y. Lai
;
Ganesh Samudra
;
Dim-Lee Kwong
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
34.
Status and challenges of PCM modeling
机译:
PCM建模的现状和挑战
作者:
A. L. Lacaita
;
D. Ielmini
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
35.
Characterization and Modeling of CMOS On-Chip Coupled Interconnects
机译:
CMOS片上耦合互连的表征和建模
作者:
Rakesh Kumar
;
Subhash. C. Rustagi
;
Kai Kang
;
T. K. S. Wong
;
K. Mouthaan
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
36.
Numerical and analytical simulations of Suspended Gate - FET for ultra-low power inverters
机译:
超低功率逆变器的悬浮栅极FET的数值和分析模拟
作者:
D. Tsamados
;
Y.S. Chauhan
;
C. Eggimann
;
K. Akarvardar
;
H.S. Philip Wong
;
Adrian M. Ionescu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
37.
Thermal Resistance Reduction in Power MOSFETs Integrated in a 65nm SOI Technology
机译:
集成65nm SOI技术的功率MOSFET的热阻降低
作者:
O. Bon
;
J. Roig
;
F. Morancho
;
S. Haendler
;
O. Gonnard
;
C. Raynaud
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
38.
Design and Characterization of STI Compatible High-Voltage NMOS and PMOS Devices in Standard CMOS Process
机译:
标准CMOS工艺中与STI兼容的高压NMOS和PMOS器件的设计与表征
作者:
Xiaoliang Han
;
Chihao Xu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
39.
Microscopic Modeling of High Frequency Noise in SiGe HBTs
机译:
SiGe HBT中高频噪声的微观建模
作者:
Mindaugas Ramonas
;
Paulius Sakalas
;
Christoph Jungemann
;
Michael Schroter
;
Wolfgang Kraus
;
Artur Shimukovitch
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
40.
Efficiency of Low-Power Design Techniques in Multi-Gate FET CMOS Circuits
机译:
多栅极FET CMOS电路中低功耗设计技术的效率
作者:
C. Pacha
;
K. von Arnim
;
F. Bauer
;
T. Schulz
;
W. Xiong
;
K.T. San
;
A. Marshall
;
T. Baumann
;
C.-R. Cleavelin
;
K. Schruefer
;
J. Berthold
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
41.
Negative Bias Temperature Instability: Recoverable versus Permanent Degradation
机译:
负偏压温度不稳定性:可恢复与永久降解
作者:
Tibor Grasser
;
Ben Kaczer
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
42.
A reliable and accurate approach to assess NBTI behavior of state-of-the-art pMOSFETs with fast-WLR
机译:
一种可靠且准确的方法来评估具有快速WLR的最新pMOSFET的NBTI行为
作者:
Christian Schluender
;
Rolf-Peter Vollertsen
;
Wolfgang Gustin
;
Hans Reisinger
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
43.
Multi-gate devices for the 32nm technology node and beyond
机译:
适用于32nm及更高工艺节点的多栅极设备
作者:
N. Collaert
;
A. De Keersgieter
;
A. Dixit
;
I. Ferain
;
L.-S. Lai
;
D. Lenoble
;
A. Mercha
;
A. Nackaerts
;
B.J. Pawlak
;
R. Rooyackers
;
T. Schulz
;
K.T. San
;
N.J. Son
;
M.J.H. Van Dal
;
P. Verheyen
;
K. von Arnirn
;
L. Witters
;
K. De Meyer
;
S. Biesemans
;
M. Jurczak
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
44.
Electro-Thermal Model of a High-Voltage IGBT Module for Realistic Simulation of Power Converters
机译:
高压IGBT模块的电热模型,用于仿真功率转换器
作者:
A. Castellazzi
;
M. Ciappa
;
W. Fichtner
;
E. Batista
;
J. M. Dienot
;
M. Mermet-Guyennet
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
45.
Model to Hardware Matching For nano-meter Scale Technologies
机译:
纳米匹配技术的模型到硬件匹配
作者:
Sani R. Nassif
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
关键词:
component;
model to hardware correlation;
manufacturing variations;
modeling;
46.
The Monte Carlo approach to transport modeling in deca-nanometer MOSFETs
机译:
蒙特卡罗方法在十纳米MOSFET中进行传输建模
作者:
Enrico Sangiorgi
;
Pierpaolo Palestri
;
David Esseni
;
Claudio Fiegna
;
Luca Selmi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
47.
Key Directions and a Roadmap for Electrical Design for Manufacturability
机译:
可制造性电气设计的关键方向和路线图
作者:
Andrew B. Kahng
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
48.
Architecture Approaching the Atomic Scale
机译:
接近原子规模的架构
作者:
Andre DeHon
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
49.
Germanium-On-Nothing (GeON): an innovative technology for ultrathin Ge film integration
机译:
虚无锗(GeON):一种用于超薄Ge薄膜集成的创新技术
作者:
E.Batail
;
S.Monfray
;
D.Rideau
;
M.Szczap
;
N.Loubet
;
T.Skotnicki
;
C.Tabone
;
JM.Hartmann
;
S.Borel
;
G.Rabille
;
JF.Damlencourt
;
B.Vincent
;
B.Previtali
;
L.Clavelier
;
M.Bescond
;
G.Ghibaudo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
50.
0.12μm P-MOSFETs with High-K and Metal Gate Fabricated in a Si Process Line on 200mm GeOI Wafers
机译:
在200mm GeOI晶圆的Si工艺生产线上制造的具有高K和金属栅极的0.12μmP-MOSFET
作者:
C. Le Royer
;
L. Clavelier
;
C. Tabone
;
C. Deguet
;
L. Sanchez
;
J.-M. Hartmann
;
M.-C. Roure
;
H. Grampeix
;
S. Deleonibus
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
51.
High Performance High-k/Metal Gate Ge pMOSFETs with Gate Lengths down to 125 nm and Halo Implant
机译:
栅极长度低至125 nm且具有晕环注入的高性能高k /金属栅极Ge pMOSFET
作者:
B. De Jaeger
;
G. Nicholas
;
D. P. Brunco
;
G. Eneman
;
M. Meuris
;
M. M. Heyns
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
52.
Low voltage hot-carrier programming of ultra-scaled SOI Finflash memories
机译:
超大规模SOI Finflash存储器的低压热载流子编程
作者:
J. Razafindramora
;
L. Perniola
;
C. Jahan
;
P. Scheiblin
;
M. Gely
;
C. Vizioz
;
C. Carabasse
;
F. Boulanger
;
B. De Salvo
;
S. Deleonibus
;
S. Lombardo
;
C. Bongiomo
;
G. Iannaccone
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
53.
Reliable extraction of metal gate work function by combining two electrical characterization methods
机译:
结合两种电气表征方法可靠地提取金属栅极功函数
作者:
M. Charbonnier
;
J. Mitard
;
C. Leroux
;
G. Ghibaudo
;
V. Cosnier
;
P. Besson
;
F. Martin
;
G. Reimbold
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
54.
Analytical and Compact Modelling of the I-MOS (Impact Ionization MOS)
机译:
I-MOS(精确电离MOS)的分析和紧凑建模
作者:
F. Mayer
;
T. Poiroux
;
G. Le Carval
;
L. Clavelier
;
S. Deleonibus
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
55.
A Complementary-I-MOS Technology Featuring SiGe Channel and I-region For Enhancement of Impact-ionization, Breakdown Voltage, and Performance
机译:
具有SiGe通道和I区的互补I-MOS技术,可增强碰撞电离,击穿电压和性能
作者:
Eng-Huat Toh
;
Grace Huiqi Wang
;
Lap Chan
;
Guo-Qiang Lo
;
Dennis Sylvester
;
Chun-Huat Heng
;
Ganesh Samudra
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
56.
Current Transport Mechanisms of Schottky Barrier and Modified Schottky Barrier MOSFETs
机译:
肖特基势垒和改进型肖特基势垒MOSFET的电流传输机制
作者:
Bing-Yue Tsui
;
Chi-Pei Lu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
57.
Demonstration of phase-controlled Ni-FUSI CMOSFETs employing SiON dielectrics capped with sub-monolayer ALD HfSiON for low power applications
机译:
演示了相控Ni-FUSI CMOSFET,该晶体管采用SiON电介质覆盖的亚单层ALD HfSiON,适用于低功耗应用
作者:
Hong Yu Yu
;
Shou-Zen Chang
;
Anabela Veloso
;
Anne Lauwers
;
Annelies Delabie
;
Jean-Luc Everaert
;
Raghunath Singanamalla
;
Christoph Kerner
;
Christa Vrancken
;
Stephan Brus
;
Philippe Absil
;
Thomas Hoffmann
;
Serge Biesemans
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
58.
Dual Work Function High-k/Metal Gate CMOS FinFETs
机译:
双功函数高k /金属栅CMOS FinFET
作者:
Muhammad Mustafa Hussain
;
Casey Smith
;
Pankaj Kalra
;
Ji-Woon Yang
;
Gabe Gebara
;
Barry Sassman
;
Paul Kirsch
;
Prashant Majhi
;
Seung-Chul Song
;
Rusty Harris
;
Hsing -Huang Tseng
;
Raj Jammy
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
59.
Self-Aligned μTrench Phase-Change Memory Cell Architecture for 90nm Technology and Beyond
机译:
适用于90nm及更高技术的自对准μTrench相变存储单元架构
作者:
A. Pirovano
;
F. Pellizzer
;
I. Tortorelli
;
R. Harrigan
;
M. Magistretti
;
P. Petruzza
;
E. Varesi
;
D. Erbetta
;
T. Marangon
;
F. Bedeschi
;
R. Fackenthal
;
G. Atwood
;
R. Bez
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
60.
Modeling of Passive-Active Device Interactions
机译:
被动-主动设备交互的建模
作者:
Wim Schoenmaker
;
Peter Meuris
;
Erik Janssens
;
Wil Schilders
;
Daniel Ioan
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
61.
Lateral HV-MOS Transistors (50V) for Integration in a 0.18μm CMOS-Process
机译:
横向HV-MOS晶体管(50V),可集成在0.18μmCMOS工艺中
作者:
M. Gross
;
M. Stoisiek
;
T. Uhlig
;
C. Ellmers
;
F. Fuernhammer
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
62.
Random Telegraph Signal Noise SPICE Modeling for Circuit Simulators
机译:
电路模拟器的随机电报信号噪声SPICE建模
作者:
C . Leyris
;
S. Pilorget
;
M. Marin
;
M. Minondo
;
H. Jaouen
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
63.
Impact of Well Edge Proximity Effect on Timing
机译:
井缘邻近效应对时序的影响
作者:
Toshiki Kanamoto
;
Yasuhiro Ogasahara
;
Keiko Natsume
;
Kenji Yamaguchi
;
Hiroyuki Amishiro
;
Tetsuya Watanabe
;
Masanori Hashimoto
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
64.
Impact of Stress on Various Circuit Characteristics in 65nm PDSOI Technology
机译:
应力对65nm PDSOI技术中各种电路特性的影响
作者:
Sushant Suryagandh
;
Mayank Gupta
;
Zhi-Yuan Wu
;
Srinath Krishnan
;
Mario Pelella
;
Jung-Suk Goo
;
Ciby Thuruthiyil
;
Judy X. An
;
Brian Q. Chen
;
Niraj Subba
;
Luis Zamudio
;
James Yonemura
;
Ali B. Icel
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
65.
Analog Design Challenges and Trade-Offs using Emerging Materials and Devices
机译:
使用新兴材料和器件进行模拟设计的挑战和取舍
作者:
M. Fulde
;
A. Mercha
;
C. Gustin
;
B. Parvais
;
V. Subramanian
;
K. v. Arnim
;
F. Bauer
;
K. Schruefer
;
D. Schmitt-Landsiedel
;
G. Knoblinger
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
66.
Analysis of Transient Charging Components in NBTI Degradation Studied for TaN Gated HfO_2/SiO_2 Dielectrics
机译:
TaN门控HfO_2 / SiO_2介电材料NBTI降解中的瞬态充电成分分析
作者:
Kenji Okada
;
Tsuyoshi Horikawa
;
Hiroyuki Ota
;
Toshihide Nabatame
;
Akira Toriumi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
67.
Power-Cycling of DMOS-Switches Triggers Thermo-Mechanical Failure Mechanisms
机译:
DMOS开关的电源循环触发热机械故障机制
作者:
Tobias Smorodin
;
Michael Glavanovics
;
Juergen Wilde
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
68.
Impact of the gate stack on the electrical performances of 3D Multi-Channel MOSFET (MCFET) on SOI
机译:
栅极堆叠对SOI上3D多通道MOSFET(MCFET)的电性能的影响
作者:
E. Bernard
;
T. Ernst
;
B. Guillaumot
;
N. Vulliet
;
X. Garros
;
V. Maffmi-Alvaro
;
F. Andrieu
;
V. Barral
;
F. Allain
;
A. Toffoli
;
V. Vidal
;
V. Delaye
;
C. Vizioz
;
Y. Campidelli
;
O. Kermarrec
;
J.M. Hartmann
;
S. Borel
;
O. Faynot
;
A. Souifi
;
P. Coronel
;
T. Skotnic
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
69.
Strain Enhancement in Spacerless N-Channel FinFETs with Silicon-Carbon Source and Drain Stressors
机译:
具有硅碳源漏电极的无间隔N沟道FinFET的应变增强
作者:
Tsung-Yang Liow
;
Kian-Ming Tan
;
Rinus T. P. Lee
;
Ming Zhu
;
Keat-Mun Hoe
;
Ganesh S. Samudra
;
N. Balasubramanian
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
70.
Technical and Economical Trends in Microelectronics
机译:
微电子学的技术和经济趋势
作者:
Wolfgang Ziebart
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
71.
CMOS Image Sensors: State-Of-The-Art and Future Perspectives
机译:
CMOS图像传感器:最新技术和未来展望
作者:
Albert THEUWISSEN
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
72.
45nm/32nm CMOS: Challenge and Perspective
机译:
45nm / 32nm CMOS:挑战与展望
作者:
Kazunari Ishimaru
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
73.
Joining Microelectronics and Microionics: Nerve Cells and Brain Tissue on Semiconductor Chips
机译:
加入微电子学和微电子学:半导体芯片上的神经细胞和脑组织
作者:
Peter Fromherz
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
74.
Large-area molecular junctions
机译:
大面积分子连接
作者:
Dago de Leeuw
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
75.
Designing Analog and RF Circuits for Ultra-Low Supply Voltages
机译:
设计用于超低电源电压的模拟和RF电路
作者:
Peter R. Kinget
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
76.
Low-Voltage Limitations of Memory-Rich Nano-Scale CMOS LSIs
机译:
存储器丰富的纳米级CMOS LSI的低电压限制
作者:
Kiyoo Itoh
;
Masashi Horiguchi
;
Masanao Yamaoka
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
77.
Smart Sensor Design: The Art of Compensation and Cancellation
机译:
智能传感器设计:补偿和抵消的艺术
作者:
Kofi A.A. Makinwa
;
Michiel A.P. Pertijs
;
Jeroen C. v.d. Meer
;
Johan H. Huijsing
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
78.
Rigorous Extraction of Process Variations for 65nm CMOS Design
机译:
严格提取65nm CMOS设计的工艺变化
作者:
Wei Zhao
;
Yu Cao
;
Frank Liu
;
Kanak Agarwal
;
Dhruva Acharyya
;
Sani Nassif
;
Kevin Nowka
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
79.
The Scalability of 8T-SRAM Cells under the Influence of Intrinsic Parameter Fluctuations
机译:
内在参数波动影响下8T-SRAM单元的可扩展性
作者:
B. Cheng
;
S. Roy
;
A. Asenov
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
80.
Analog Circuits for Sensors
机译:
传感器模拟电路
作者:
Bedrich J. Hosticka
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
81.
Integrated Sensor for Light Source Position Measurement Applicable in SOI Technology
机译:
适用于SOI技术的用于光源位置测量的集成传感器
作者:
Christian Koch
;
Juergen Oehm
;
Jannik Emde
;
Wolfram Budde
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
82.
Single-Grain Si Thin-Film Transistors for Analog and RF Circuit Applications
机译:
适用于模拟和RF电路应用的单颗粒Si薄膜晶体管
作者:
N. Saputra
;
M. Danesh
;
A. Baiano
;
R. Ishihara
;
J. R. Long
;
J.W. Metselaar
;
C.I.M. Beenakker
;
N. Karaki
;
Y. Hiroshima
;
S. Inoue
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
83.
A Novel Base Current Phenomenon in SiGe HBTs Operating in Inverse Mode
机译:
反向运行的SiGe HBT中的新型基极电流现象
作者:
Aravind Appaswamy
;
John D. Cressler
;
Guofu Niu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
84.
Sub-micron, Metal Gate, High-κ Dielectric, Implant-free, Enhancement-mode III-V MOSFETs
机译:
亚微米,金属栅极,高κ介电,无植入,增强型III-V MOSFET
作者:
D. A. J. Moran
;
R. J. W. Hill
;
X. Li
;
H. Zhou
;
D. Mclntyre
;
S. Thorns
;
R. Droopad
;
P. Zurcher
;
K. Rajagopalan
;
J. Abrokwah
;
M. Passlack
;
I. G. Thayne
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
85.
Design improvement of RF 3D MIM damascene capacitor
机译:
RF 3D MIM镶嵌电容器的设计改进
作者:
S. Capraro
;
C. Bermond
;
T.T. Vo
;
J. Piquet
;
B. Ftechet
;
M. Thomas
;
A. Farcy
;
J. Torres
;
S. Cremer
;
E. Guichard
;
A. Haen
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
86.
New capacitor parametric test methodology for process issues control
机译:
用于过程问题控制的新型电容器参数测试方法
作者:
J.-P. Manceau
;
A. Bajolet
;
S. Cremer
;
M. Quoirin
;
S. Bruyere
;
J.-P. Manceau
;
A. Sylvestre
;
P. Gonon
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
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2007年
87.
Accelerated lifetime measurements on thin film ferroelectric materials with a high dielectric constant
机译:
高介电常数薄膜铁电材料的加速寿命测量
作者:
Aarnoud Roest
;
Klaus Reimann
;
Mareike Klee
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
88.
Integration of CVD Silicon Nanocrystals in a 32Mb NOR Flash Memory
机译:
CVD硅纳米晶体在32Mb NOR闪存中的集成
作者:
S. Jacob
;
G. Festes
;
S. Bodnar
;
R. Coppard J.F. Thiery
;
T. Pate-Cazal
;
T. Pedron
;
B. De Salvo
;
L. Perniola
;
E. Jalaguier F. Boulanger
;
S. Deleonibus
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
89.
The ESBT~R (Emitter-Switched Bipolar Transistor): a new monolithic power actuator technology devoted to high voltage and high frequency applications
机译:
ESBT〜R(发射极开关双极晶体管):一种新型的单片功率执行器技术,专门用于高压和高频应用
作者:
V. Enea
;
D. Kroell
;
M. Messina
;
C. Ronsisvalle
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
90.
Fragmented Membrane MEM Bulk Lateral Resonators with Nano-Gaps On 1.5μm SOI
机译:
在1.5μmSOI上具有纳米间隙的碎膜MEM体侧向谐振器
作者:
N. D. Badila-Ciressan
;
M. Mazza
;
D. Grogg
;
A.M. Ionescu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
91.
New Compact MEMS-Switch Controlled Tunable DGS Coplanar Bandpass Filter
机译:
新型紧凑的MEMS开关控制的可调DGS共面带通滤波器
作者:
Anatoliy Batmanov
;
Ahmed Boutejdar
;
Edmund P. Burte
;
Abbas S. Omar
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
92.
Anodic Ta_2O_5 for CMOS Compatible Low Voltage Electrowetting-On-Dielectric Device Fabrication
机译:
阳极Ta_2O_5,用于CMOS兼容的低压电介质上电润湿器件制造
作者:
Y. Li
;
W. Parkes
;
L.I. Haworth
;
A.A. Stokes
;
K.R. Muir
;
P. Li
;
A.J. Collin
;
N.G. Hutcheon
;
R. Henderson
;
B. Rae
;
A.J. Walton
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
93.
An Experimental and Simulation Study of pnp Si/SiGeC HBTs Using Box-like Ge profiles
机译:
利用盒状Ge轮廓进行pnp Si / SiGeC HBT的实验和模拟研究
作者:
Mien Duvernay
;
Gaeel Borot
;
Pascal Chevalier
;
Didier Dutartre
;
Roland Pantel
;
Laurent
;
Rubaldo
;
Thierry Schwartzmann
;
Benoit Vandelle
;
Alain Chantre
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
94.
Characterization of PVD Aluminum Nitride for Heat Spreading in RF IC's
机译:
用于RF IC散热的PVD氮化铝的特性
作者:
L. La Spina
;
L. K. Nanver
;
H. Schellevis
;
E. Iborra
;
M. Clement
;
J. Olivares
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
95.
Low-Noise CMOS Single-Photon Avalanche Diodes with 32 ns Dead Time
机译:
具有32 ns死区时间的低噪声CMOS单光子雪崩二极管
作者:
Lucio Pancheri
;
David Stoppa
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
96.
Transient Charge Pumping as a New technique for a Higher Sensitivity SOI MOSFET Photodetector
机译:
瞬态电荷泵浦作为高灵敏度SOI MOSFET光电探测器的新技术
作者:
Louis Harik
;
Jean-Michel Sallese
;
Maher Kayal
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
97.
Fabrication of a Bolometric Infrared Micro-Spectrometer
机译:
红外光谱仪的制造
作者:
Jae Chang Yang
;
Ju Chan Choi
;
Ho Jung
;
Seong Ho Kong
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
98.
Leakage current reduction in 80 nm biaxially strained Si nMOSFETs on in-situ doped SiGe virtual substrates
机译:
原位掺杂SiGe虚拟衬底上80 nm双轴应变Si nMOSFET的漏电流降低
作者:
J. Hallstedt
;
B. G. Malm
;
P.-E. Hellstroem
;
M. OEstling
;
M. Oehme
;
J. Werner
;
K. Lyutovich
;
E. Kasper
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
99.
Advantages of Bulk over SOI in Performance of Thyristor-based SRAM Cell with Selective Epitaxy Anode
机译:
在具有选择性外延阳极的基于晶闸管的SRAM电池性能方面,与SOI相比,体积大的优势
作者:
T. Sugizaki
;
M. Nakamura
;
M. Yanagita
;
M. Shinohara
;
T. Ikuta
;
T. Ohchi
;
K. Kugimiya
;
R. Yamamoto
;
S. Kanda
;
K. Yagami
;
T. Oda
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
100.
From point defects to dislocation loops: a comprehensive TCAD model for self-interstitial defects in silicon
机译:
从点缺陷到位错循环:硅中自填隙缺陷的全面TCAD模型
作者:
Ignacio Martin-Bragado
;
Ibrahim Avci
;
Nikolas Zographos
;
Pedro Castrillo
;
Martin Jaraiz
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE)》
|
2007年
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