Sony Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0014, Japan;
机译:SRAM中n型SOI访问FinFET中的NBTI及其对单元稳定性和性能的影响
机译:使用有机散装 - 异位结太阳能电池作为宽带间隙佩罗夫斯基特太阳能电池的选择性触点:优点和限制
机译:使用散装核探针和技术节点为90 nm的SOI SRAM评估软错误率
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机译:体-异质结有机光伏器件的界面研究:对-氧化镍阳极中间层和盐酸处理的掺锡氧化铟阳极的性能影响和增强机理。
机译:使用溶剂工程空穴选择中间层改善大体积异质结聚合物太阳能电池的空气稳定性和性能
机译:FD-SOI技术在22nm节点上用于6-T SRAM单元的性能和面积扩展优势
机译:用于大块异质结聚合物太阳能电池的高效电荷选择性材料的研制。