Department of Electronics Electrical Engineering University of Glasgow, Glasgow, United Kingdom;
Freescale Semiconductor Inc. Tempe, Arizona 85284, U.S.A.;
机译:具有增强型MOSFET的增强模式掩埋通道$ hbox {In} _ {0.7} hbox {Ga} _ {0.3} hbox {As / In} _ {0.52} hbox {Al} _ {0.48} hbox {As} $ MOSFET $ kappa门电介质
机译:180nm金属栅极,高k介电,无注入III驴V MOSFET,跨导超过425 / spl mu / S // spl mu / m
机译:通过键合用于22-nm节点的自对准平面双栅极MOSFET,具有金属栅极,高kappa $电介质和金属源极/漏极
机译:亚微米,金属栅极,高κ电介质,无植入式,增强模式III-V MOSFET
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:亚微米,金属栅极,高ε电介质,无植入,增强型III-V mOsFET