高介电金属栅极MOSFET结构及其制造方法

摘要

本申请提供高介电金属栅极MOSFET结构，在形成P型功函数层之后增加一层中间阻挡层，之后在去除NMOS区域的P型功函数层的同时去除NMOS区域的中间阻挡层，而保留位于PMOS区域的P型功函数层和中间阻挡层，之后形成NMOS区域和PMOS区域的N型功函数层及金属栅，如此PMOS的中间阻挡层可在顶部阻挡层的基础上进一步阻挡金属栅的金属向P型功函数层中扩散，从而防止P型功函数层的功函数的大小产生偏移，另PMOS的中间阻挡层位于其P型功函数层与N型功函数层之间，N型功函数层的材料通常为TiAl，因此本发明更可通过中间阻挡层阻挡PMOS的的N型功函数层的Al成份向P型功函数层中扩散，而进一步防止P型功函数层的功函数的大小产生偏移。