声明
摘要
第一章 绪论
1.1 半桥驱动芯片概述
1.2 半桥驱动芯片中LDMOS的应用和制备工艺
1.3 LDMOS的HTRB退化问题的研究现状
1.4 半桥驱动芯片中LDMOS的HTRB可靠性指标
1.5 主要研究内容和组织架构
第二章 半桥芯片中传统LDMOS的结构和特性分析
2.1 半桥芯片中传统LDMOS结构
2.2 半桥芯片中传统LDMOS的关态特性
2.3 半桥芯片中传统LDMOS的开态特性
2.4 本章小结
第三章 半桥芯片中传统LDMOS器件的HTRB退化机理研究
3.1 半桥芯片中传统LDMOS的HTRB退化现象
3.2 半桥芯片中传统LDMOS的HTRB退化机理
3.3 半桥芯片中传统LDMOS的HTRB退化的工艺级解决方法
3.4 本章小结
第四章 防HTRB退化的LDMOS器件的优化设计
4.1 防HTRB退化的LDMOS器件的设计原理
4.2 防HTRB退化的LDMOS器件的模拟仿真
4.3 本章小结
第五章 改进型LDMOS器件的版图设计和流片测试
5.1 改进型LDMOS器件的版图设计
5.2 改进型LDMOS器件的测试结果
5.3 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
致谢
参考文献
硕士期间取得成果