公开/公告号CN111180339B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;
申请/专利号CN201911324379.0
申请日2019-12-20
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/40(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人罗雅文
地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
入库时间 2022-08-23 12:21:23
机译: LDMOS器件,包括LDMOS器件的集成电路以及制造该器件的方法
机译: LDMOS器件结构及制造该LDMOS器件的方法
机译: ESD自保护NLDMOS器件和NLDMOS阵列