首页> 中文学位 >LDMOS器件优化与高功率附加效率的PA研究
【6h】

LDMOS器件优化与高功率附加效率的PA研究

代理获取

目录

声明

第一章引言

1.1 课题的背景及意义

1.2 国内外研究动态

1.3 本论文主要研究内容

第二章 RF LDMOS晶体管模型研究

2.1 RF LDMOS器件结构及其等效模型

2.2 RF LDMOS晶体管小信号等效模型

2.2.1 小信号S参数

2.2.2 小信号等效模型的搭建与校准

2.3 RF LDMOS非线性直流电流模型

2.4 RF LDMOS晶体管模型仿真

2.5 本章小结

第三章影响PA 效率的器件因素分析

3.1 功率放大器基本技术指标

3.2 PA的小信号工作模式研究

3.2.1 导通角与效率

3.2.2 静态偏置点研究

3.3 PA的大信号工作模式研究

3.3.1 LDMOS非线性特性研究

3.3.2 LDMOS直流特性对效率的影响

3.4 本章小结

第四章射频功放的性能测试分析

4.1 RF LDMOS产品器件结构

4.2 RF LDMOS功率晶体管测试

4.2.1 小信号S参数测试板的设计

4.2.2 直流输出特性测试

4.3 LDMOS射频功率放大器测试

4.3.1 功率放大器测试结果分析

4.4 本章小结

第五章基于器件优化提升功率附加效率

5.1 RF LDMOS结构优化思路

5.2 RF LDMOS器件仿真优化

5.2.1 TCAD小信号S参数拟合

5.2.2 RF LDMOS器件参数优化

5.3 功率附加效率的提升

5.4 本章小结

第六章结论

致谢

参考文献

攻读硕士期间取得的成果

展开▼

著录项

  • 作者

    吴锦帆;

  • 作者单位

    电子科技大学;

  • 授予单位 电子科技大学;
  • 学科 集成电路工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 王向展;
  • 年度 2020
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号