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唐本奇; 罗晋生; 耿斌; 李国政;
西安交通大学;
西北核技术研究所;
LDMOS晶体管; 结构; LDMOST; 耐压分析;
机译:LDMOS晶体管中的周期性沟槽区域:具有高击穿电压的新型可靠结构
机译:采用新型p沟道结构的高性能p沟道LDMOS晶体管和宽电压平台技术
机译:通过耐压升压结构在Si衬底上的GaN晶体管具有高耐压
机译:有机场效应晶体管(GI-ofet)内栅极的结构分析与数学建模 - 一种新型器件结构
机译:新型半导体器件和集成电路(砷化镓MESFET,IC模拟,MODFET,薄膜晶体管,非晶硅)的分析和设计。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:用于阈值电压调整和改善性能的新型双栅InGaAs垂直纳米线晶体管器件的分析建模和数值模拟
机译:用于低功率电子器件的新型场效应晶体管
机译:LDMOS晶体管能够以低导通电阻实现高耐压并具有适合与其他MOS晶体管结合的结构
机译:用于LDMOS晶体管器件的新型栅极结构
机译:LDMOS晶体管结构和包括LDMOS晶体管结构的集成电路
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