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吴秀龙; 陈军宁; 孟坚; 高珊; 柯导明;
安徽大学电子科学与技术学院;
击穿电压; SOI; LDMOS; 功率器件;
机译:射频SOI LDMOS晶体管场板配置的数值研究
机译:电荷分配对SOI-LDMOS晶体管IM3预测的影响
机译:具有优化的部分n + sup>埋层的SOI-LDMOS晶体管,可提高功率放大器应用的性能
机译:基于2晶体管和4晶体管结构的体电阻和SOI线性电阻的非线性比较研究
机译:参见有关超短栅极MOS场效应晶体管的栅极氧化物和超薄SOI结构的研究利用统计
机译:基于SOI的非对称结构MEMS电容传感器的热漂移研究
机译:高压SOI-LDMOS晶体管的建模,包括自加热
机译:海洋工程研究1991年编制。第8卷。耐压船体 - 蜂窝三明治结构。
机译:LDMOS晶体管能够以低导通电阻实现高耐压并具有适合与其他MOS晶体管结合的结构
机译:LDMOS晶体管结构和包括LDMOS晶体管结构的集成电路
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