B＋离子注入P型Hg0.8Cd0.2Te

摘要

在77K时对150keV的B^+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B^+注入后所形成的n^+层是很明显的。n^+层的厚度取决于B^+的注入剂量,当剂量超过1×10^(13)cm^(-2)时,晶片载流子浓度趋于饱和。