Mgイオン注入p型GaNの超高圧アニール温度の検討

摘要

より高性能なGaNパワーデバイスを実現する上で、電界緩和構造など任意領域へのp型伝導制御を可能とするMgイオン注入(Mg-ions implantation:Mg-I/I)技術は重要である。我々はこれまでMg-I/I後に超高圧アニール(ultra-high-pressure annealing:UHPA)を適用した試料についてホール効果測定を行いMgアクセプタ形成の実証を報告してきた。今回、ホール効果特性のUHPAアニール温度依存性を調べたので報告する。